| 研究課題/領域番号 |
18039002
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
松井 淳 東北大学, 多元物質科学研究所, 助手 (50361184)
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| 研究分担者 |
宮下 徳治 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (40124630)
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| 研究期間 (年度) |
2006
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| 研究課題ステータス |
完了 (2006年度)
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| 配分額 *注記 |
1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
2006年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
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| キーワード | π共役系高分子ナノシート / 電気化学トランジスタ / Langmuir-Blodgett膜 |
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| 研究概要 |
本研究は共役系高分子ナノシートの超階層構造を用い、π共役高分子ナノシートの電気化学ドーピングを利用することで、低電圧駆動、高増幅な高分子ナノシートトランジスタの作製を目的とする。
1.混合LB法によるπ共役高分子ナノシートの作製(松井、宮下)
水面上で安定な単分子膜を形成するpoly(dodecylacrylamide)(pDDA)とpoly(hexylthiophene)(PHT)を混合することで、共役高分子ナノシートを水面上に形成させることが可能となった。pDDAとPHTの比率を最適にすることにより厚さ2.5nmの共役系高分子ナノシートの作製に成功した。
2.π共役系高分子ナノシートを用いた電気化学トランジスタの構築(松井)
Au櫛形電極上にπ共役系高分子ナノシートを積層した。続いてシリコーンスペーサーを用いて電解質をナノシート上に注入しITO電極で封入した。Au電極をソースードレイン電極、ITO電極をゲート電極として電気化学トランジスタ特性を検討したところゲート電圧1.2Vという低電圧でon/off比1.1×10^4を達成した。また2極式のサイクリックボルタモメトリーより駆動に伴う消費電荷量を求めたところ1.1×10^<-9>mol/cm^2と非常に低い電荷量で駆動することがわかった。これより移動度を求めたところ7.5×10^<-2>cm^2/Vsecとなり実用化まで一桁という高い移動度を達成することができた。
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