| 研究課題/領域番号 |
18063004
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
佐野 伸行 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 (90282334)
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| 研究協力者 |
中西 洸平 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 博士
柴野 望己 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 博士
吉田 勝尚 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 博士
唐澤 貴彦 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 博士
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
46,600千円 (直接経費: 46,600千円)
2009年度: 11,900千円 (直接経費: 11,900千円)
2008年度: 11,900千円 (直接経費: 11,900千円)
2007年度: 11,400千円 (直接経費: 11,400千円)
2006年度: 11,400千円 (直接経費: 11,400千円)
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| キーワード | 電子デバイス / 集積回路 / ボルツマン輸送方程式 / 電子輸送 / モンテカルロ法 / 半導体デバイス / デバイス・シミュレーション / クーロン相互作用 / 特性ばらつき / 半導体特性 / 半導体物性 / 非平衡グリーン関数法 / ボルツマン方程式 / 量子輸送 |
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| 研究概要 |
チャネル電子やイオン化不純物が少数個になるナノスケールMOSFETでは、電子やイオン化不純物の離散性が、素子特性のばらつきに本質的影響を及ぼす。離散性に伴った問題を解決するために、本研究では、離散分布する不純物や電子のもつクーロンポテンシャルとナノスケールで発現する電子の量子性を考慮したシミュレータを高い精度で構築した。そのうえで、電子輸送機構の物理の解明と定量的な輸送特性評価を行った。
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