| 研究課題/領域番号 |
18063006
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
平本 俊郎 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20192718)
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| 研究分担者 |
更屋 拓哉 東京大学, 生産技術研究所, 助手 (90334367)
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| 連携研究者 |
更屋 拓哉 東京大学, 生産技術研究所, 助手 (90334367)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
51,200千円 (直接経費: 51,200千円)
2009年度: 13,800千円 (直接経費: 13,800千円)
2008年度: 13,800千円 (直接経費: 13,800千円)
2007年度: 11,800千円 (直接経費: 11,800千円)
2006年度: 11,800千円 (直接経費: 11,800千円)
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| キーワード | 特性ばらつき / しきい値電圧 / SOI / SRAM / MOSFET / 半導体 / 不純物揺らぎ / 微細化 / VLSI / ランダムテレグラフノイズ / 正規分布 / 半導体超微細化 / 基板バイアス効果 / 低消費電力 / 不純物ゆらぎ |
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| 研究概要 |
実測と三次元シミュレーションにより微細トランジスタの特性ばらつきについて検討を行った.特性ばらつきに強いデバイス構造として,極薄埋込酸化膜を有するSOIトランジスタを挙げ,従来のバルクトランジスタとは逆に,しきい値電圧を高くするほどばらつきが抑制されることを示した.また,製造後に特性ばらつきを自己抑制する新しい手法を考案し,その効果をシミュレーションにより実証した.
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