| 研究課題/領域番号 |
18063010
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
田部 道晴 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80262799)
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| 研究分担者 |
池田 浩也 静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (00262882)
猪川 洋 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (50393757)
ラトノ ヌルヤディ 静岡大学, 創造科学技術大学院, 助教 (70402245)
小野 行徳 NTT, 物性科学基礎研究所, 主任研究員 (80374073)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
47,600千円 (直接経費: 47,600千円)
2009年度: 11,900千円 (直接経費: 11,900千円)
2008年度: 11,900千円 (直接経費: 11,900千円)
2007年度: 11,900千円 (直接経費: 11,900千円)
2006年度: 11,900千円 (直接経費: 11,900千円)
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| キーワード | 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / トンネル現象 / シリコンナノデバイス |
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| 研究概要 |
個々のドナーポテンシャルを利用した多重トンネル接合をチャネルとする単電子SOI-MOSFETをデバイスの基本構造とし、フォトン吸収に対応したランダムテレグラフシグナルの観測、およびランダムポテンシャル系における単電子転送を実証した。また低温ケルビンプローブフォース顕微鏡によるチャネル中の単一ドーパントの観察に成功した。
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