| 研究課題/領域番号 |
18063012
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
財満 鎭明 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (70158947)
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| 研究分担者 |
小川 正毅 名古屋大学, エコトピア科学研究所, 教授 (10377773)
酒井 朗 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 教授 (20314031)
渡部 平司 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90379115)
坂下 満男 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (30225792)
近藤 博基 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (50345930)
中塚 理 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 講師 (20334998)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
194,900千円 (直接経費: 194,900千円)
2009年度: 24,200千円 (直接経費: 24,200千円)
2008年度: 57,600千円 (直接経費: 57,600千円)
2007年度: 56,500千円 (直接経費: 56,500千円)
2006年度: 56,600千円 (直接経費: 56,600千円)
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| キーワード | 半導体超微細化 / デバイス設計・製造プロセス / ナノ材料 / 半導体物性 / 表面・界面物性 / ポストスケーリング / ゲートスタック構造 / 歪ゲルマニウム |
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| 研究概要 |
ポストスケーリング世代における新規IV族系半導体MOSFETの実現に向けて、高移動度伸張歪Geチャネル、高誘電率、低リークゲート絶縁膜/Ge構造、Ge表面窒化、仕事関数制御された均一金属合金ゲート電極およびこれらの接合界面に関する研究を行った。新規材料探索、要素プロセス構築、およびその統合に関する技術開発を達成した。
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