| 研究課題/領域番号 |
18063014
|
|---|
| 研究種目 |
特定領域研究
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 審査区分 |
理工系
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 (2007-2009)
大阪大学 (2006) |
|---|
研究代表者 |
田畑 仁 (2007-2009) 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00263319)
竹田 精治 (2006) 大阪大学, 大学院理学研究科, 教授 (70163409)
|
|---|
| 研究分担者 |
河野 日出夫 (河野 出夫) 大阪大学, 大学院・理学研究科, 准教授 (00273574)
大野 裕 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (80243129)
関 宗俊 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (40432439)
田畑 仁 東京大学, 工学系研究科, 教授 (00263319)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
|
| 配分額 *注記 |
91,500千円 (直接経費: 91,500千円)
2009年度: 15,900千円 (直接経費: 15,900千円)
2008年度: 22,000千円 (直接経費: 22,000千円)
2007年度: 26,600千円 (直接経費: 26,600千円)
2006年度: 27,000千円 (直接経費: 27,000千円)
|
|---|
| キーワード | マルチフェロ / 自己整合 / メモリデバイス / ナノロッド / 自己組織化 / Siナノロッド / 低次元FET / シリコンナノワイヤー / 透過電子顕微鏡 / マルチフェロイック / ワイドギャップ酸化物半導体 / 酸化物磁性体ナノロッド |
|---|
| 研究概要 |
トップダウン型の手法による半導体デバイスの微細化・高性能化が極限にまで進みつつあり、デバイス動作の物理的限界を迎えようとしている現在、革新的なボトムアップ型ナノデバイス開発技術の確立、および従来にない高次機能や新規物性を発現する材料の開発、更にはシリコン系材料との融合・複合化による既存半導体デバイスのさらなるの性能向上がのぞまれている。我々は自己組織化プロセスを利用した新しいナノ構造形成技術の開発とナノデバイスの構築を目指し研究を推進している。また、省エネルギー、高集積化、高速演算を可能にする次世代エレクトロニクスの有望な基幹材料として、電気双極子秩序(強誘電性)とスピン秩序(強磁性)を単一相の中で融合したマルチフェロイック物質の創製を行うとともに、スピンや双極子"ゆらぎ"物性とシリコン系材料との融合による高次機能調和デバイス開発の基礎条件を確立した。
|
