| 研究課題/領域番号 |
18063016
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 島根大学 |
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研究代表者 |
土屋 敏章 島根大学, 総合理工学部, 教授 (20304248)
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| 連携研究者 |
櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (30271993)
最上 徹 , (株)半導体先端テクノロジーズ
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| 研究協力者 |
竹廣 忍 東北大学, 電気通信研究所, 助手
三島 誠史 島根大学, 総合理工学研究科, 博士前期課程
吉田 啓一 島根大学, 総合理工学研究科, 博士前期課程
森 祐樹 島根大学, 総合理工学研究科, 博士前期課程
森村 由太 島根大学, 総合理工学研究科, 博士前期課程
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
53,700千円 (直接経費: 53,700千円)
2009年度: 6,400千円 (直接経費: 6,400千円)
2008年度: 13,900千円 (直接経費: 13,900千円)
2007年度: 16,400千円 (直接経費: 16,400千円)
2006年度: 17,000千円 (直接経費: 17,000千円)
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| キーワード | マイクロ・ナノデバイス / 半導体超微細化 / 電子デバイス・機器 / 表面・界面物性 / SiGe / ヘテロ構造 / MOS / 揺らぎ / 界面準位 / 雑音 |
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| 研究概要 |
MOSFETのチャージポンピング特性に,ゲートパルスのオン時間に関連した過渡現象を見出し,それを利用してMOS界面準位1個1個を検出して評価する界面物性揺らぎの究極的とも言える評価手法を考案した.この手法を用いて,ナノスケールMOSFETにおける界面準位の数とキャリア捕獲率揺らぎの直接観測に成功した.これらの成果は,MOSデバイスの雑音研究に新たな展開をもたらし,RTN機構解明にも大きな前進を与えると期待される.
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