| 研究課題/領域番号 |
18063018
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
宮尾 正信 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 教授 (60315132)
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| 研究分担者 |
佐道 泰造 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
浜屋 宏平 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 准教授 (90401281)
権丈 淳 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 助手 (20037899)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
53,600千円 (直接経費: 53,600千円)
2009年度: 14,900千円 (直接経費: 14,900千円)
2008年度: 14,900千円 (直接経費: 14,900千円)
2007年度: 11,900千円 (直接経費: 11,900千円)
2006年度: 11,900千円 (直接経費: 11,900千円)
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| キーワード | 電子デバイス・機器 / 集積回路 / スピントロニクス / シリコンゲルマニウム |
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| 研究概要 |
Si-LSIのスケーリング限界を打破する為、シリコンゲルマニウム(SiGe)チャネル技術にスピン機能を融合したスピントランジスタ(スピンMOSFET)の実現を目指して研究を行った。強磁性シリサイド(Fe_3Si)をソース・ドレインとしたスピントランジスタを創出する為、低温分子線成長法を高度化してSiGe上へのFe_3Si薄膜の原子層制御エピタキシャル成長技術を確立すると共に、Fe_3Si/Si界面のショットキー障壁を制御してSiへのスピン注入/検出を実証した。LSIへのスピン機能の融合を可能とする重要な成果である。
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