研究課題/領域番号 |
18063019
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研究種目 |
特定領域研究
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配分区分 | 補助金 |
審査区分 |
理工系
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研究機関 | 財団法人高輝度光科学研究センター |
研究代表者 |
木村 滋 財団法人高輝度光科学研究センター, 利用研究促進部門, 副主席研究員 (50360821)
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研究分担者 |
坂田 修身 財団法人高輝度光科学研究センター, 利用研究促進部門, 主幹研究員 (40215629)
田尻 寛男 財団法人高輝度光科学研究センター, 利用研究促進部門, 研究員 (70360831)
今井 康彦 財団法人高輝度光科学研究センター, 利用研究促進部門, 研究員 (30416375)
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研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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配分額 *注記 |
45,600千円 (直接経費: 45,600千円)
2009年度: 10,900千円 (直接経費: 10,900千円)
2008年度: 10,900千円 (直接経費: 10,900千円)
2007年度: 11,900千円 (直接経費: 11,900千円)
2006年度: 11,900千円 (直接経費: 11,900千円)
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キーワード | 結晶工学 / 表面・界面物性 / マイクロX線回折 / シンクロトロン放射光 / X線回折 / 界面物性 / 薄膜 / 歪み / 微小領域 / 薄膜構造 / 金属錯体 / X繰回折 |
研究概要 |
半導体集積回路の基本素子である金属-絶縁膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の技術開発において、これまでの技術の延命では達成困難な超高集積度、高性能・高機能性を追求し、実現するためには、デバイス中の各パーツの結晶構造や応力分布を解析し、最適な構造にすることが必要不可欠になってきている。そこで、SPring-8の高輝度放射光を用いたマイクロプローブX線技術を発展させ、ナノデバイス材料・界面のナノメーターレベルの微小領域に存在する歪や構造の評価を可能にする高分解能マイクロX線回折システムを開発した。
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