| 研究課題/領域番号 |
18106007
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
田中 雅明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30192636)
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| 研究分担者 |
大矢 忍 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (20401143)
菅原 聡 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (40282842)
中根 了昌 東京大学, 大学院・工学系研究科, 特任助教 (50422332)
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| 連携研究者 |
菅原 聡 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 准教授 (40282842)
中根 了昌 東京大学, 大学院・工学系研究科, 特任講師 (50422332)
ファム ナム ハイ 東京大学, 大学院・工学系研究科, 特任助教 (50571717)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
101,270千円 (直接経費: 77,900千円、間接経費: 23,370千円)
2010年度: 16,120千円 (直接経費: 12,400千円、間接経費: 3,720千円)
2009年度: 20,150千円 (直接経費: 15,500千円、間接経費: 4,650千円)
2008年度: 21,060千円 (直接経費: 16,200千円、間接経費: 4,860千円)
2007年度: 20,800千円 (直接経費: 16,000千円、間接経費: 4,800千円)
2006年度: 23,140千円 (直接経費: 17,800千円、間接経費: 5,340千円)
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| キーワード | スピンデバイス / スピン / 再構成可能 / スピントロニクス・デバイス / MnAs / 微粒子 / GaMnAs / 磁性半導体 / トンネル磁気抵抗 / 不揮発性メモリ / 分子線エピタキシー / スピントランジスタ / ヘテロ構造 / 電子デバイス・集積回路 / リコンフイギャラブル / スピントラジスタ / スピンMOSFET / 強磁性半導体 / スピン起電力 / リコンフィギャラブル / 強磁性トンネル接合 / トンネル磁気抵抗効果 / 共鳴トンネル効果 / スピントランジスタを / ナノスピンデバイス / GeFe |
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| 研究概要 |
本研究では、従来の半導体デバイスでは不可能であったリコンフィギャラブルな機能をもつナノスピンデバイスの基盤技術を開発することを目指した。スピン自由度を有する新しい半導体デバイス構造を提案し、柔軟な情報処理機能、すなわちハードウェアを作製した後で機能を再構成(書き換える)することが可能(リコンフィギャラブル)な半導体デバイスを試作し、その動作原理を示した。スピン機能材料の研究開発を行うとともに、大きく分けて次の3タイプのスピンデバイス;(1)IV族半導体をベースとしたMOSFET型(プレーナ型)のスピンデバイス、(2)III-V族半導体をベースとした接合型スピントランジスタ、(3)磁性金属微粒子と半導体からなる複合構造をベースとした単電子スピントランジスタを作製し、その動作原理を示した。
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