| 研究課題/領域番号 |
18201015
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ構造科学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
櫻井 利夫 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20143539)
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| 研究分担者 |
藤川 安仁 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (70312642)
中山 幸仁 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (50312640)
小野 崇人 東北大学, 工学研究科, 准教授 (90282095)
サドウスキー J・T 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (40333885)
高村 由起子 (山田 由起子) 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 講師 (90344720)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2007
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| 研究課題ステータス |
完了 (2007年度)
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| 配分額 *注記 |
53,560千円 (直接経費: 41,200千円、間接経費: 12,360千円)
2007年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円)
2006年度: 43,160千円 (直接経費: 33,200千円、間接経費: 9,960千円)
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| キーワード | 表面・界面物性 / 走査プローブ顕微鏡 / 低速電子顕微鏡 / 半導体物性 |
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| 研究概要 |
本研究では、このような半導体高指数表面特有の再構成に伴って必ず生じる"表面歪み"を新しい物性として捉え、これを新しい表面機能として有用に制御・活用する為の指導原理を得る事を目的として研究を行い、半導体の高指数表面が持つ歪みが自己組織化ナノ構造制御に果たす役割を、構造・物性の双方の観点から解明を試みた。この結果、Si基板上のGe薄膜という組み合わせでは常に引っ張り表面歪みをもつ(105)面が優勢となり、薄膜成長過程を複雑にしている事が分かった。この複雑性の原因となっている(105)面を基板に用いることにより、ナノ構造形成過程を単純化することに成功し、なおかつ形成された島状構造において光電子放出強度の増大を観察した。このような物性の変化を観察するため、低速電子顕微鏡技術を応用した局所電子分光技術の開発に従事した。その結果、テスト試料であるシリコン表面上に成長した銀アイランドにおいて、Ag(111)面部とAg(100)面部の光電子スペクトルをミクロンスケールの制限視野を適用する事により分離して測定する事に成功した。光電子スペクトル及び電子エネルギー損失スペクトル中の特定のエネルギーを取り出して、空間分布をナノスケールで観察する事にも成功している。また、このような高指数表面の応用を拡大する可能性を切り開くため、Silicon-on-Insulator技術を使用した面方位変換の可能性を探索し、Si(111)-Si(001)面方位変換が実際にGaNのSiに対する積層技術として有効である事を示した。
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