| 研究課題/領域番号 |
18206003
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 立命館大学 |
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研究代表者 |
名西 やす之 立命館大学, 理工学部, 教授 (40268157)
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| 研究分担者 |
直井 弘之 立命館大学, COE推進機構, 研究員 (10373101)
HYUNSEOK Na 立命館大学, COE推進機構, 研究員 (80411239)
荒木 努 立命館大学, 理工学部, 准教授 (20312126)
青柳 克信 立命館大学, COE推進機構, 教授 (70087469)
山口 智広 立命館大学, 総合理工学・研究機構, 研究員 (50454517)
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| 連携研究者 |
金子 昌充 立命館大学, 総合理工学・研究機構, ポスドク研究員 (70374709)
WANG Ke 立命館大学, 総合理工学・研究機構, ポスドク研究員 (60532223)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
50,700千円 (直接経費: 39,000千円、間接経費: 11,700千円)
2008年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
2007年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
2006年度: 35,880千円 (直接経費: 27,600千円、間接経費: 8,280千円)
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| キーワード | エピタキシャル成長 / 窒化インジウム / 分子線エピタキシー / 分子線エピタキシー法 / p型ドーピング / ヘテロ界面 / インターミキシング / オーミックコンタクト / InN / InGaN / RF-MBE / p形ドーピング / MIS構造 / 窒素ラジカル / キャリア濃度 / 結晶性 |
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| 研究概要 |
RF-MBE法を用いたInNとその関連混晶の成長に特有な本質的課題(結晶高品質化とp型の実現、接合の形成、ヘテロ・ナノ構造制御等)に取り組み、デバイス応用へ向けた光・電子物性制御の基本検討を実施した。高In組成InGaNへのMgドーピングによるp型伝導制御、InN MISダイオードおよびオーミック電極特性、GaN/InN、AlN/InNヘテロ界面におけるインターミキシングに関する知見を得た。
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