| 研究課題/領域番号 |
18206004
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(A)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
|
|---|
| 研究機関 | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 |
|---|
研究代表者 |
小林 康之 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部・薄膜材料研究グループ, 主幹研究員 (90393727)
|
|---|
| 研究分担者 |
牧本 俊樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 部長 (50374070)
赤坂 哲也 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員 (90393735)
西川 敦 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 社員 (60417095)
中野 秀俊 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主幹研究員 (90393793)
後藤 秀樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主幹研究員 (10393795)
俵 毅彦 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 研究主任 (40393798)
眞田 治樹 (眞田 浩樹) 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 社員 (50417094)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
|
| 配分額 *注記 |
40,430千円 (直接経費: 31,100千円、間接経費: 9,330千円)
2009年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
2008年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
2007年度: 11,960千円 (直接経費: 9,200千円、間接経費: 2,760千円)
2006年度: 12,350千円 (直接経費: 9,500千円、間接経費: 2,850千円)
|
|---|
| キーワード | 半導体 / 結晶成長 / 半導体物性 / 光物性 / エピタキシャル成長 |
|---|
| 研究概要 |
我々は、有機金属気相成長法により、(0001)六方晶窒化ホウ素薄膜が、ニッケル(111)基板とサファイア(0001)基板上にエピタキシャル成長することを見出した。六方晶窒化ホウ素エピタキシャル薄膜は、カソードルミネッセンス測定から室温において227nm付近のバンド端近傍の発光を示し、その光学バンドギャップは、5.9eV、直接遷移であり、遠紫外発光材料として有望である。
|
