| 研究課題/領域番号 |
18206033
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
松重 和美 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80091362)
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| 研究分担者 |
石田 謙司 神戸大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (20303860)
小林 圭 京都大学, 産官学連携センター, 助教 (40335211)
桑島 修一郎 京都大学, 大学院・工学研究科, 講師 (80397588)
野田 啓 京都大学, 大学院・工学研究科, 助教 (30372569)
山田 啓文 京都大学, 工学研究科, 准教授 (40283626)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
49,790千円 (直接経費: 38,300千円、間接経費: 11,490千円)
2008年度: 9,620千円 (直接経費: 7,400千円、間接経費: 2,220千円)
2007年度: 13,910千円 (直接経費: 10,700千円、間接経費: 3,210千円)
2006年度: 26,260千円 (直接経費: 20,200千円、間接経費: 6,060千円)
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| キーワード | 強誘電体 / 有機分子 / 不揮発メモリ / 界面 / トランジスタ型メモリ / ナノデバイス / 空乏層 / 半導体 / 不揮発性メモリ |
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| 研究概要 |
本研究では、次世代不揮発メモリとして極めて有望な、金属/強誘電体/半導体(MFS)構造を有する電界効果トランジスタ(FET)の開発を、有機強誘電体材料を用いて推し進めた。その結果、従来は困難であったシリコン基板表面への強誘電体膜の直接堆積や強誘電体の分極反転に伴うFETのON/OFFスイッチングの実現に至った。また、走査型プローブ顕微鏡を援用した新しいプローブゲート方式のトランジスタ型強誘電体メモリを提案し、その動作を実証した。
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