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次世代大電力制御用超高効率デバイス

研究課題

研究課題/領域番号 18206036
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関名城大学

研究代表者

天野 浩  名城大学, 理工学部, 教授 (60202694)

研究分担者 岩谷 素顕  名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)
研究期間 (年度) 2006 – 2007
研究課題ステータス 完了 (2007年度)
配分額 *注記
41,080千円 (直接経費: 31,600千円、間接経費: 9,480千円)
2007年度: 16,120千円 (直接経費: 12,400千円、間接経費: 3,720千円)
2006年度: 24,960千円 (直接経費: 19,200千円、間接経費: 5,760千円)
キーワードp-GaNゲート / JHFET / ノーマリーオフ / GaN系FET / ハイパワースイッチング素子 / 高耐圧 / GaN / AIN / SiC / FET / エンハンスメントモード / オン抵抗 / オフ電流
研究概要

III族窒化物半導体(GaN)による大電力制御用FETの可能性を示すことを目的とした。平成18年度には、1.p型GaNゲート接合型HFETにおいて、表面パッシベーションによりオン抵抗の低減と相互コンダクタンスの増大を確認。2.サブスレッショルドスイングや、インバータとしてのオン損失・オフ損失が、従来のGaN系FETと比較して少ないことを確認。3.p型GaNゲート接合型HFETにおいて、障壁層組成・膜厚の制御およびゲート長、ソースドレイン間隔とオン抵抗依存性を確認。4.その関係からチャネル移動度とゲート直下の移動度の違いを明らかにした。また、FET成長用テンプレートまたは基板として、5.昇華法を用いて、2インチSiC基板上にAIN単結晶の成長に成功、および6.高温MOVPEにおけるELOを用いてSiC上に転位密度10^6cm^<-2>以下のAlNの成長に成功した。
平成19年度には、最大ドレイン電流はSiN保護膜の膜厚と相関が強いことを見出し、SiN膜厚5nmにおいて、最大ドレイン電流がゲート電圧4[V]において1.58×10^<-1>[A/mm]と、ノーマリーオフ型FETとしては極めて高く、かつリーク電流が1.45×10^<-8>[A/mm]と極めて少なく、ON/OFF比が7桁以上、サブ閾値電圧が90[mV/dec.]と小さく、また低消費電力動作に必須の低オン抵抗3.4[mΩcm^2]を実現した。また耐圧は家庭用クーラーのインバーター用としては十分な325[V]であった。更に、耐圧はゲートドレイン間距離に比例することを実験的に証明した。

報告書

(3件)
  • 2007 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2006 実績報告書
  • 研究成果

    (44件)

すべて 2008 2007 2006

すべて 雑誌論文 (25件) (うち査読あり 8件) 学会発表 (13件) 図書 (4件) 産業財産権 (2件)

  • [雑誌論文] Impact of high-temperature growth by metal-organic vapor phase epitaxy on microstructure of A1N on 6H-SiC substrates2008

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, H.Sugimura, N.Okada, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 2308-2313

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Impact of high-temperature growth by metal-organic vapor phase epitaxy on microstructure of AlN on 6H-SiC substrates2008

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, A. Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 310

      ページ: 2308-2313

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書 2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Control of threshold voltage of enhancement-mode Al_xGa_<1-x>N/GaN junction heterostructure field-effect transistors using p-GaN gate contact2007

    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, N.Tsuyukuchi, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano and I.Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 115-118

    • NAID

      10018704414

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Fabrication of enhancement-mode Al_xGa_<1-x>N/GaN junction heterostructure field-effect transistors with p-type GaN gate contact2007

    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, N.Tsuyukuchi, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, and I.Akasaki
    • 雑誌名

      phys.stat.sol. (c)4

      ページ: 2708-2711

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Annihilation mechanism of threading dislocations in AIN grown by growth form modification method using V/III ratio2007

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 300

      ページ: 136-140

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of AIN on trench-patterned AIN layers2007

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakano, G.Narita, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 257-260

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Control of threshold voltage of enhancement-mode Al_XGa_(1-X) N/GaN junction heterostructure field-effect transistors using p-GaN gate contact2007

    • 著者名/発表者名
      T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 115-118

    • NAID

      10018704414

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Fabrication of enhancement-mode Al_XGa_(1-X) N/GaN junction heterostructure field-effect transistors with p-type GaN gate contact2007

    • 著者名/発表者名
      T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c)4

      ページ: 2708-2711

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Annihilation mechanism of threading dislocations in AlN grown by growth form modification method using V/III ratio2007

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 300

      ページ: 136-140

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of A1N on trench-patterned AlN layers2007

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, K. Nakano, G. Narita, N. Fujimoto, N. Okada,. K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro T. Takagi, A. Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 257-260

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Fabrication of enhancement-mode A1_xGa_<1-x>N/GaN junction heterostructure field-effecttransistors with p-type GaN gate contact2007

    • 著者名/発表者名
      T. Fujii, N. Tsuyukuchi, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c)4

      ページ: 2708-2711

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Annihilation mechanism of threading dislocations in AIN grown by growth form modification method using V/III ratio2007

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 300

      ページ: 136-140

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Epitaxial lateral overgrowth of AlN on trench-patterned AlN layers2007

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, K. Nakano, G. Narita, N. Fujimoto, N. Okada, . K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 298

      ページ: 257-260

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Control of threshold voltage of enhancement-mode Al_xGa_1-xN/GaN junction heterostructure field-effect transistors using p-GaN gate contact2007

    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, N.Tsuyukuchi, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 115-118

    • NAID

      10018704414

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Low-leakage-current enhancement-mode AIGaN/GaN heterostructure field-effect transistor using p-type gate contact2006

    • 著者名/発表者名
      N.Tsuyukuchi, K.Nagamatsu, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano and I.Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Influence of Ohmic Contact Resistance on Transconductance in AlGaN/GaN HEMT2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Hirose, A.Honshio, T.Kawashima, M.Iwaya, S.Kamiyama, M.Tsuda, H.Amano and I.Akasaki
    • 雑誌名

      IEICE Trans.Electron. E89-C

      ページ: 1064-1067

    • NAID

      110007538789

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] High On/Off Ratio in Enhancement-Mode Al_xGa_<1-x>N/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-type GaN Gate Contact2006

    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, N.Tsuyukuchi, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano and I.Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • NAID

      10018340710

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxial Growth of AIN on Sapphire by Multi Transition Growth Mode Method Varying V/III Ratio2006

    • 著者名/発表者名
      M.Imura, K.Nakano, N.Fujimoto, N.Okada, K.Balakrishnan, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki, T.Noro, T.Takagi, A.Bandoh
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 8639-8643

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Low-leakage-current enhancement-mode AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor using p-type gate contact2006

    • 著者名/発表者名
      N. Tsuyukuchi, K. Nagamatsu, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • NAID

      10018158654

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Influence of Ohmic Contact Resistance on Transconductance in AlGaN/GaN HEMT2006

    • 著者名/発表者名
      Yoshikazu Hirose, Akira Honshio, Takeshi Kawashima, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Michinobu Tsuda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron. E89-C

      ページ: 1064-1067

    • NAID

      110007538789

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] High On/Off Ratio in Enhancement-Mode Al_XGa_(1-X) N/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-type GaN Gate Contact2006

    • 著者名/発表者名
      T. Fujii. N. Tsuyukuchi, M. Iwava. S. Kamivama. H. Amano, I. Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • NAID

      10018340710

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] High-Temperature Metal-Organic Vapor Phase Epitaxial Growth of AlN on Sapphire by Multi Transition Growth Mode Method Varying V/III Ratio2006

    • 著者名/発表者名
      M. Imura, K. Nakano, N. Fujimoto, N. Okada, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Noro, T. Takagi, A. Bandoh
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 8639-8643

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Low-leakage-current enhancement-mode AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor using p-type gate contact2006

    • 著者名/発表者名
      N.Tsuyukuchi, K.Nagamatsu, Y.Hirose, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • NAID

      10018158654

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Influence of Ohmic Contact Resistance on Transconductance in AlGaN/GaN HEMT2006

    • 著者名/発表者名
      Yoshikazu Hirose, Akira Honshio, takeshi Kawashima, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Michinobu Tsuda, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron. E89-C

      ページ: 64-1067

    • NAID

      110007538789

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] High On/Off Ratio in Enhancement-Mode Al_xGa_1-xN/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-type GaN Gate Contact2006

    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, N.tsuyukuchi, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano, I.Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

    • NAID

      10018340710

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [学会発表] p型GaNゲートを用いたnormally-off型AlGaN/GaN HFETsの構造最適化2007

    • 著者名/発表者名
      水野 克俊、藤井 隆弘、中村 彰吾、根賀 亮平、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-04
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Technical issues for the realization of new functional nitride-based optical and electron devices2007

    • 著者名/発表者名
      H. Amano
    • 学会等名
      No. 68 Japan Society for Applied Physics Annual Meeting
    • 年月日
      2007-09-04
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] p型GaNゲートを用いたnormally-off型A1GaN/GaN HFETsの構造最適化2007

    • 著者名/発表者名
      水野克俊、藤井隆弘、中村彰吾、根賀亮平、岩谷素顕、上山智、天野浩、赤崎勇
    • 学会等名
      第68回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      北海道工業大学
    • 年月日
      2007-09-04
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] 窒化物系半導体の最近の動向と課題2007

    • 著者名/発表者名
      天野 浩
    • 学会等名
      日本学術振興会 結晶加工と評価技術第45委員会 110回研究会
    • 発表場所
      四ツ谷、東京
    • 年月日
      2007-06-04
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書 2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] <デバイスの立場から>窒化物半導体光・電子デバイス極限機能創出のための結晶成長の技術課題2007

    • 著者名/発表者名
      天野 浩
    • 学会等名
      日本結晶成長学会特別講演会・日本学術振興会第161委員会第54回研究会
    • 発表場所
      千駄ケ谷、東京
    • 年月日
      2007-04-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] <デバイスの立場から> 窒化物半導体光・電子デバイス極限機能創出のための結晶成長の技術課題2007

    • 著者名/発表者名
      天野 浩
    • 学会等名
      日本結晶成長学会特別講演会・日本学術振興会第161委員会第54回研究会
    • 発表場所
      千駄ヶ谷、東京
    • 年月日
      2007-04-13
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] High drain current and low loss normally-off-mode AIGaN/GaN junction HFETs with p-type GaN gate contact2007

    • 著者名/発表者名
      T. Fujii, S. Nakamura, K. Mizuno, R. Nega, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    • 学会等名
      Group 45 Japan Society for Promotion of Science No. 110 Meeting
    • 年月日
      2007-04-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] p型GaNゲートを用いた高出力低損失normally-off型AlGaN/GaNHFETs2007

    • 著者名/発表者名
      藤井 隆弘、露口 士夫、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    • 学会等名
      春季第54回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      2007-03-28
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] p型GaNゲートを用いた低オン抵抗ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETs2007

    • 著者名/発表者名
      根賀 亮平、藤井 隆弘、中村 彰吾、露口 士夫、川島 毅士、岩谷 素顕、上山 智、天野 浩、赤崎 勇
    • 学会等名
      春季第54回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      2007-03-28
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] S. Nakamura, R. Nega, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Arnano, I. Akasaki, Optimization of normally off type AIGaN/GaN JHFETs having p-GaN gate2007

    • 著者名/発表者名
      K. Mizuno, T. Fujii
    • 学会等名
      THE 56th JAPAN NATIONAL CONGRESS ON THEORETICAL AND APPLIED MECHANICS
    • 発表場所
      Tokyo, Japan
    • 年月日
      2007-03-09
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] High drain current and low loss normally-off-mode AlGaN/GaN junction HFETs with p-type GaN gate contact2007

    • 著者名/発表者名
      T.Fujii, S.Nakamura, K.Mizuno, R.Nega, M.Iwaya, S.Kamiyama, H.Amano and I.Akasaki
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas,U.S.A
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] High drain current and low loss normally-off-mode AlGaN/GaN junction HFETs with p-type GaN gate contact2007

    • 著者名/発表者名
      T. Fujii, S. Nakamura, K. Mizuno, R. Nega, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki
    • 学会等名
      The 7th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-7)
    • 発表場所
      Las Vegas, U. S. A
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Recent development of nitride semiconductors2006

    • 著者名/発表者名
      H. Amano
    • 学会等名
      THE 55th JAPAN NATIONAL CONGRESS ON THEORETICAL AND APPLIED MECHANICS
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • 年月日
      2006-01-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [図書] Wide Bandgap Semiconductors 2.3.1 Doping Technology, pp.77-79, 3.5.3 Advances in UV Laser Diodes, pp.206-207, Total 460 pages, Editors Kiyoshi Takahashi, Akihiko Yoshikawa, Adarsh Sandhu2007

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Amano
    • 総ページ数
      460
    • 出版者
      Springer
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [図書] Wide Bandgap Semiconductors 2. 3. 1 Doping Technology, pp. 77-79, 3. 5. 3 Advances in UV Laser Diodes, pp. 206-207, Total 460 pages, Editors Kiyoshi Takahashi, Akihiko Yoshikawa, Adarsh Sandhu2007

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Amano
    • 総ページ数
      460
    • 出版者
      Springer
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [図書] 高周波半導体材料・デバイスの新展開、監修:佐野芳明、奥村次徳、第2章 III族窒化物半導体のMOVPE技術、pp.80-862006

    • 著者名/発表者名
      天野 浩
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [図書] 高周波半導体材料・デバイスの新展開、監修 : 佐野芳明、奥村次徳、第2章 III族窒化物半導体のMOVPE技術、pp.80-862006

    • 著者名/発表者名
      天野 浩
    • 総ページ数
      266
    • 出版者
      シーエムシー出版
    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [産業財産権] 窒化物系半導体の気相成長方法、及び、エピタキシャル基板とそれを用いた半導体装置2006

    • 発明者名
      津田 道信, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇
    • 権利者名
      京セラ株式会社、学校法人名城大学
    • 出願年月日
      2006-03-10
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [産業財産権] 窒化物系半導体の気相成長方法とそれを用いた窒化物系半導体エピタキシャル基板並びに自立基板、及び半導体装置2006

    • 発明者名
      津田 道信, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇
    • 権利者名
      京セラ株式会社、学校法人名城大学
    • 出願年月日
      2006-02-24
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要

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公開日: 2006-04-01   更新日: 2016-04-21  

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