| 研究課題/領域番号 |
18206041
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
水谷 孝 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (70273290)
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| 研究分担者 |
岸本 茂 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10186215)
大坂 次郎 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (20377849)
黒内 正仁 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 研究員 (10452187)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
50,700千円 (直接経費: 39,000千円、間接経費: 11,700千円)
2008年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2007年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
2006年度: 37,310千円 (直接経費: 28,700千円、間接経費: 8,610千円)
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| キーワード | GaN / HEMT、ノーマリオフ、MOSFET / InGaN cap / ひずみ分極 / ノーマリオフ / GaN HEMT / Mgドーピング / MOSFET / HfO_2 / 高耐圧 / HEMT / フッ素プラズマ処理 / ひずみ電界 / しきい値電圧シフト / 電流DLTS |
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| 研究概要 |
本研究では、開発の期待が高い高性能ノーマリオフ型GaN FETの課題を解決する方法として、InGaN cap層導入によるひずみ分極制御AlGaN/GaN HEMT、および高誘電率を有するHfO_2をゲート絶縁膜とするGaN MOSFET, AlGaN/GaN MOSFETを提案した。さらにデバイス試作により本提案の有効性を示すとともに、しきい値がおのおの1.1V, 3Vのノーマリオフ動作を実現し、また高い電流駆動能力を実証した。
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