| 研究課題/領域番号 |
18206074
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
構造・機能材料
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
乾 晴行 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 (30213135)
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| 研究分担者 |
岸田 恭輔 京都大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (20354178)
田中 克志 京都大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (30236575)
岡本 範彦 京都大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60505692)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
50,180千円 (直接経費: 38,600千円、間接経費: 11,580千円)
2008年度: 9,750千円 (直接経費: 7,500千円、間接経費: 2,250千円)
2007年度: 11,180千円 (直接経費: 8,600千円、間接経費: 2,580千円)
2006年度: 29,250千円 (直接経費: 22,500千円、間接経費: 6,750千円)
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| キーワード | 熱電変換材料 / 無次元性能指数 / ゼーベック係数 / 電気伝導度 / 熱伝導度 / 微細組織 / ラットリング / 透過電子顕微鏡法 / 透過電子権顕微鏡法 |
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| 研究概要 |
Re, Ruのシリサイドに注目して, これらシリサイドのシリコン副格子(サブラティス)の配列の多様性に基づいた特異な微細組織を制御して, その特性改善および新たな物質探索, 特性向上の指導原理の確立を目指した.「金属副格子を一定に保つことによって電気伝導を低減することなく, Si副格子のナノ・スケール変調から生じる相界面により熱伝導を低減する」サブラティス・エンジニアリングがこれらの目的に有用であることを明らかにした.
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