| 研究課題/領域番号 |
18206077
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 独立行政法人宇宙航空研究開発機構 |
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研究代表者 |
栗林 一彦 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 教授 (70092195)
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| 研究分担者 |
長汐 晃輔 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師 (20373441)
野崎 潔 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 研究員 (40415899)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
36,270千円 (直接経費: 27,900千円、間接経費: 8,370千円)
2008年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2007年度: 18,330千円 (直接経費: 14,100千円、間接経費: 4,230千円)
2006年度: 13,260千円 (直接経費: 10,200千円、間接経費: 3,060千円)
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| キーワード | 球状Si結晶 / 無容器プロセス / ドロップチューブ / semi-solidプロセス / AlP / 溶解度積 / AIP / 球状結晶 / ドロップチューブ法 / セミソリッド / 静電浮遊炉 / シリコン |
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| 研究概要 |
無指向性太陽電池への応用が期待される球状Si結晶の育成方法として,予め結晶核を内包したセミソリッド状態からの噴射および異質核生成の利用による低過冷度での結晶化の可能性を検討した.その結果,前者では噴射に適したセミソリッド状態を再現良く得ることが困難なことから,本研究では異質核生成の利用に重点を移し, Siの核形成に対して触媒作用が高いと考えられるAlPの利用を試みた.結果は,添加量が10^<16>~10^<17>cm^<-3>のときに太陽電池への適用が可能な結晶の収率が80%を超えることを示した.溶解度積の解析からは,上記の添加量は,低~中過冷度(ΔT<200K)でAlPが過飽和になる値であることが示された.
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