| 研究課題/領域番号 |
18206080
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
反応工学・プロセスシステム
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
山口 由岐夫 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (20332570)
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| 研究分担者 |
笹倉 英史 旭化成株式会社
門脇 徹治 御国色素株式会社
藤田 昌大 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (40436530)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
50,180千円 (直接経費: 38,600千円、間接経費: 11,580千円)
2008年度: 14,690千円 (直接経費: 11,300千円、間接経費: 3,390千円)
2007年度: 14,690千円 (直接経費: 11,300千円、間接経費: 3,390千円)
2006年度: 20,800千円 (直接経費: 16,000千円、間接経費: 4,800千円)
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| キーワード | 材料合成プロセス / コロイド / ナノ粒子 / 透明電極 / パターン化 / 自己組織化 / ITO薄膜 / 単層カーボンナノチューブ(SWCNT) / 分散 / 凝集 / 塗布、乾燥 / 界面活性剤 / 超音波分散 / ナノ構造 / 分散・凝集 / ITO / 導電性 / 透過率 / 塗布 |
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| 研究概要 |
当研究室においてCVD 合成したSWCNTを用い、塗布法にて透明電極を作製した。研究成果として、溶液に超音波分散し、吸引法で作製した様々なSWCNT 薄膜を評価した結果、最高値として80%の透過率で500を得た。
また、ナノプロセシングの学理を体系化するために、ナノ粒子のナノ構造と高次構造を予測するシミュレータ(SNAP : Structure of NAno-Particle)を開発した。これを用いて、CNTのようなアスペクト比の大きなナノ粒子の乾燥による高次構造形成を予測した。
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