| 研究課題/領域番号 |
18340110
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 分子科学研究所 |
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研究代表者 |
木村 真一 分子科学研究所, 極端紫外光研究施設, 准教授 (10252800)
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| 研究分担者 |
伊藤 孝寛 分子科学研究所, 極端紫外光研究施設, 助教授 (50370127)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
16,530千円 (直接経費: 14,100千円、間接経費: 2,430千円)
2008年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2007年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2006年度: 6,000千円 (直接経費: 6,000千円)
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| キーワード | 強相関電子系 / 希土類化合物 / 量子相転移 / 量子臨界点 / シンクロトロン放射光 / 光物性 / 光電子分光 / 物性実験 |
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| 研究概要 |
強相関希土類化合物では,外部からの圧力や磁場・温度を変化させることで,局在から量子臨界点を経由して非局在状態へ移行する。その量子臨界点近傍では,磁性と伝導が複雑に絡み合い,非従来型の超伝導などの特異な物性が現れる。本研究では,このような特異な物性の起源となっている電子状態を低温・高磁場・高圧下の赤外・テラヘルツ分光およびシンクロトロン放射光を用いた三次元角度分解光電子分光で解明した。
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