| 研究課題/領域番号 |
18360004
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
鏡谷 勇二 (2008) 東北大学, 多元物質科学研究所, 寄附研究部門教員 (40396536)
EHRENTRAUT DIRK (2006-2007) 東北大学, 多元物質科学研究所, 寄附研究部門教員 (50396537)
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| 研究分担者 |
福田 承生 東北大学, 名誉教授 (30199236)
鏡谷 勇二 東北大学, 多元物質科学研究所, 教育研究支援者 (40396536)
吉川 彰 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教授 (50292264)
荻野 拓 東北大学, 多元物質科学研究所, 助手 (70359545)
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| 連携研究者 |
福田 承生 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 連携教授 (30199236)
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| 研究協力者 |
DIRK Ehrentraut 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 准教授 (50396537)
吉川 彰 東北大学, 多元物質科学研究所, 准教授 (50292264)
荻野 拓 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (70359545)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
17,490千円 (直接経費: 15,000千円、間接経費: 2,490千円)
2008年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2007年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円)
2006年度: 6,700千円 (直接経費: 6,700千円)
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| キーワード | 結晶成長 / 結晶工学 / 環境材料 / 省エネルギー / 高性能レーザー / 窒化物半導体 |
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| 研究概要 |
アモノサーマル法によるGaN結晶作製を行い、GaNにおいても水熱合成法で実績のあるZnOと同じように結晶成長方位の制御が可能であることを見出した。また、30日間の長期育成にも成功し、透明なGaN作製に成功した。育成速度の高速化には、アンモニアのクラッキング状態が大きく影響することを明らかにし、アンモニア合成・分解触媒のタングステンを加えることで、最大で育成速度が28倍向上した。
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