| 研究課題/領域番号 |
18360006
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
滝田 宏樹 筑波大学, 名誉教授 (00011213)
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| 研究分担者 |
黒田 眞司 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 (40221949)
高増 正 筑波大学, 物質・材料研究機構量子ドットセンターグループリーダー (60212015)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
17,350千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 2,550千円)
2008年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2007年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2006年度: 6,300千円 (直接経費: 6,300千円)
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| キーワード | スピントロニクス / 強磁性半導体 / 分子線エピタキシー / 不純物ドーピング / フェルミ準位 / 電界効果トランジスター / 磁性制御 / キャリアドーピング / クラスター / 自己形成ドット |
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| 研究概要 |
強磁性半導体(Zn,Cr)Teにおける荷電性の不純物ドーピングによる磁性の変化を調べた。(Zn,Cr)Teにアクセプター性不純物である窒素をドープすると強磁性が抑制されるが、分子線エピタキシー法により成長した窒素ドープ(Zn,Cr)Teにおいて、窒素のドーピング量と強磁性特性との定量的関係より、窒素ドーピングに伴うCrイオンの価数変化と強磁性抑制との関係を解析し、この系の強磁性メカニズムについての考察を行った。さらに、(Zn,Cr)Te層と非磁性半導体である窒素ドープ(Zn,Mg)Te層からなるρ型の変調ドープヘテロ構造を作製し、ヘテロ界面に生成される2次元正孔により(Zn,Cr)Te層の強磁性が抑制されることを明らかにした。
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