| 研究課題/領域番号 |
18360021
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
吉野 淳二 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (90158486)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
17,420千円 (直接経費: 14,000千円、間接経費: 3,420千円)
2008年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2007年度: 11,310千円 (直接経費: 8,700千円、間接経費: 2,610千円)
2006年度: 2,600千円 (直接経費: 2,600千円)
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| キーワード | スピンエレクトロニクス / スピン依存トンネル現象 / STM / STS / ハーフメタル / BEEM / BEES / MEES |
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| 研究概要 |
磁性体/半導体のナノ構造の性能改善を目指して, BEEM/STM技術を用いてそのスピン依存トンネル現象を観測から界面のスピン状態に関する知見を得ること, さらに新しいハーフメタル型磁性体を用いたナノ構造の構築を目指して研究を行った. その結果, 特にGaAs(001)c(4x4)構造が, 2種の構造を有するとの認識に立ち, ハーフメタル型の電子構造を有するという理論予測のあるため新しい磁性材料として期待が持たれているzb型MnAsおよびCrAsのGaAs(001)表面上への成長の初期過程を明らかにした.
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