| 研究課題/領域番号 |
18360025
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
浅野 種正 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 教授 (50126306)
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| 研究分担者 |
佐道 泰造 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
権丈 淳 (權丈 淳) 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 助教 (20037899)
宮尾 正信 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 教授 (60315132)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
16,580千円 (直接経費: 15,500千円、間接経費: 1,080千円)
2008年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2007年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2006年度: 11,900千円 (直接経費: 11,900千円)
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| キーワード | 薄膜トランジスタ / ナノインプリント / 金属誘起固相結晶化 / レーザーアニール / シリコン薄膜 / 多結晶シリコン / システムオンパネル |
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| 研究概要 |
ナノインプリント技術を応用して非晶質シリコン薄膜表面の極微領域に転写した金属の触媒作用による固相結晶化過程の促進、金属誘起固相結晶化過程に優先配向性を利用して結晶核を所望の位置に配列して発生させ、その結晶核をレーザー照射で大結晶へと拡大成長させ技術を開発した。これにより、従来の方法では不可能であった、結晶方位を揃えた擬似単結晶シリコン薄膜をガラス基板上に形成する新しい技術を開発した。
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