| 研究課題/領域番号 |
18360026
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 独立行政法人宇宙航空研究開発機構 |
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研究代表者 |
廣瀬 和之 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 准教授 (00280553)
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| 研究分担者 |
野平 博司 武蔵工業大学, 工学部, 准教授 (30241110)
服部 健雄 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (10061516)
小林 大輔 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 助教 (90415894)
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| 連携研究者 |
野平 博司 武蔵工業大学, 工学部, 准教授 (30241110)
服部 健雄 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 教授 (10061516)
小林 大輔 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 助教 (90415894)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
12,680千円 (直接経費: 11,300千円、間接経費: 1,380千円)
2008年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2007年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2006年度: 6,700千円 (直接経費: 6,700千円)
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| キーワード | 界面 / 誘電率 / 光電子分光 / シリコン / 酸化膜 / 表面 / 薄膜 / 第一原理計算 |
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| 研究概要 |
CMOS集積回路開発のために、高誘電率絶縁膜とSi基板との間に極薄SiO_2膜を挟むトランジスターの積層ゲート絶縁膜構造が検討されている。高輝度の硬X線源と高分解能の光電子分光アナライザーを合わせ持つSPring-8のビームラインを利用して、Si2p光電子スペクトルとともに、これまで議論されてこなかったSi1s光電子スペクトルを測定することで、この中間極薄SiO_2膜の光学的誘電率がバルクSiO_2と異なることを定量的に明らかにした。
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