| 研究課題/領域番号 |
18360027
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 慶應義塾大学 |
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研究代表者 |
植松 真司 慶應義塾大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (60393758)
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| 研究分担者 |
影島 博之 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所・量子電子物性研究部, 主任研究員 (70374072)
渡邉 孝信 早稲田大学, 理工学術院, 准教授 (00367153)
白石 賢二 筑波大学, 数理物質科学研究科, 教授 (20334039)
伊藤 公平 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (30276414)
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| 連携研究者 |
秋山 亨 三重大学, 工学部, 助教 (40362363)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
17,180千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 2,280千円)
2008年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2007年度: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2006年度: 7,300千円 (直接経費: 7,300千円)
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| キーワード | 表面・界面物性 / マイクロ・ナノデバイス / 計算物理 / シリコン酸窒化 / 自己拡散 / マイクロ・ナのデバイス |
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| 研究概要 |
シリコンナノ構造の酸化において、酸化膜に窒素を添加することにより、酸化形状の制御、および、酸化誘起歪・応力を変調できることを明らかにした。酸化膜への窒素添加の効果を原子レベル理論計算、マクロレベルシミュレーション計算で予測し、ナノ構造酸窒化実験を行った。窒素をシリコン・酸化膜界面へ局所的に導入することにより酸化膜の粘性が増加し、シリコン内部に生じる歪・応力が大きくなることを明らかにした。これにより窒素添加が単電子トランジスタの室温動作実現に有効であることを示した。
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