研究課題
基盤研究(B)
金属/微小空隙/半導体構造デバイスの容量-電圧測定によるデオキシリボ核酸のセンシングを実証した。デオキシリボ核酸溶液の濃度は、センシングデバイスの容量-電圧曲線の変化から解析した。金属/絶縁体/空隙/絶縁体/半導体構造デバイスは、溶液のイオン濃度を検知でき、高い検出感度をもつことを実証した。容量-電圧特性の変化は、センシングシリコン酸化物表面上の電荷の変化を反映することを示した。
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