| 研究課題/領域番号 |
18360155
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 名城大学 |
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研究代表者 |
成塚 重弥 名城大学, 理工学部, 教授 (80282680)
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| 研究分担者 |
丸山 隆浩 名城大学, 理工学部, 准教授 (30282338)
天野 浩 名城大学, 理工学部, 教授 (60202694)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
16,960千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 2,160千円)
2009年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2008年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2007年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2006年度: 7,600千円 (直接経費: 7,600千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / 光・電子集積回路 / MBEエピタキシャル / 窒化ガリウム / 格子欠陥 / マイクロチャンネルエピタキシー / 有機金属分子線成長 / 選択成長 / MBE,エピタキシャル / 結晶成長 / 電子デバイス・機器 / 超高速情報処理 / シリコン / 発光素子 |
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| 研究概要 |
光・電子集積回路に用いる長寿命発光素子を実現するため、Si基板上のGaN無転位領域の成長に関し研究した。転位密度低減のためにはマイクロチャンネルエピタキシー(MCE)技術を用いる。MCEには、GaNの選択成長、横方向成長が必要である。本研究では、アンモニアを用いる有機金属分子線成長を使用することにより、広い温度範囲(600℃-850℃)で良好なGaN選択成長に成功した。また、1μmと短い横方向成長ではあるがMCEにも成功できた。
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