| 研究課題/領域番号 |
18360160
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
佐野 伸行 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 (90282334)
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| 研究協力者 |
上地 忠良 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 博士後期課程3年
福井 貴之 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 博士前期課程2年
中西 洸平 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 博士前期課程1年
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
15,610千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 1,110千円)
2008年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2007年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2006年度: 10,800千円 (直接経費: 10,800千円)
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| キーワード | 電子デバイス / 集積回路 / 半導体デバイス / デバイス・シミュレーション / ボルツマン輸送方程式 / モンテカルロ法 / クーロン相互作用 / 電子輸送 / 計算物理 / 半導体物性 |
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| 研究概要 |
電子間および電子不純物間クーロン相互作用を3次元粒子シミュレーションに高精度に導入したうえで、現実的なデバイス構造のデバイス・シミュレータを構築した。高濃度ソースおよびドレインでの集団運動(プラズマ波の励起)、電子の縮退状態、バンドテール効果とホットエレクトロン化、が正しくシミュレートできていること検証することで、ソース/ドレイン領域まで含めた構造でのモンテカルロ・シミュレータの動作の正当性を検証した。
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