| 研究課題/領域番号 |
18360169
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
江川 孝志 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 (00232934)
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| 研究分担者 |
石川 博康 名古屋工業大学, 工学研究科, 准教授 (20303696)
神保 孝志 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 (80093087)
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| 連携研究者 |
神保 孝志 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 (80093087)
石川 博康 名古屋工業大学, 工学研究科, 准教授 (20303696)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
16,540千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 2,040千円)
2008年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2007年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2006年度: 7,700千円 (直接経費: 7,700千円)
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| キーワード | 有機金属気相成長法 / 四元混晶半導体 / 窒化物半導体 / 発光ダイオード / 量子井戸 / フォトルミネッセンス / X線回折 / 高電子移動度トランジスター / ショットキーダイオード / ヘテロ接合 / 二次元電子ガス |
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| 研究概要 |
高温成長させてAlGaN/AlN中間層と歪超格子を用いてSi基板上に高品質のGaN層を総膜厚6μmまで成長できた。AlN/Siの界面における伝導帯のバンド不連続と価電子帯のバンド不連続はそれぞれ2.3±0.4eV、2.8±0.4eVと求められた。発光波長310nm付近のInAlGaN量子井戸構造を作製した。InAlGaN/GaN HEMTではしきい値電圧が0.21Vのノーマリオフ特性が得られた。
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