| 研究課題/領域番号 |
18360309
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
小山 裕 東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80169367)
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| 研究分担者 |
田邉 匡生 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10333840)
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| 連携研究者 |
田邉 匡生 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10333840)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
15,880千円 (直接経費: 13,900千円、間接経費: 1,980千円)
2008年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2007年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2006年度: 7,300千円 (直接経費: 7,300千円)
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| キーワード | 高誘電率ゲート酸化膜 / テラヘルツトランジスタ / 分子層堆積 / ノンストイキオメトリ / 点欠陥 / 高誘電率グート酸化膜 / フォトキャパシタンス |
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| 研究概要 |
1. 高比誘電率~100、低リーク電流密度10^<-5>A/cm^2、高絶縁破壊電圧0.5MV/cmのTiOxゲート絶縁膜を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)
2. TiOxゲート絶縁膜による、ソース・ドレイン間隔4ナノメーター(電気的に10ナノメーター)極微小MISゲートトランジスタのE/D動作を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)
2. TiOxゲート絶縁膜による、ソース・ドレイン間隔4ナノメーター(電気的に10ナノメーター)極微小MISゲートトランジスタのE/D動作を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)
3. フォトキャパシタンス法によるTiOx及びSrTiOx絶縁膜中のノンストイキオメトリ欠陥電子準位を解明(一部論文発表及び新規論文準備中)
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