研究課題
基盤研究(B)
ゾル-ゲル法によって作製されるゲル膜の昇温過程で発生する面内応力に及ぼす昇温速度、溶媒の沸点、触媒の種類、結晶化の効果を調べるとともに、低応力のもとで作製される薄膜を配向結晶化させる技術を開発することを目的とした。その結果、シリカゲル膜において、昇温速度が小さいほど、また、溶媒の沸点が低いほど応力は大きくなり、塩基性触媒を使用すると応力が増大しないことがわかった。また、チタニアゲル膜においては結晶化過程で引張応力が減少することがわかった。さらに、ポリビニルピロリドンを含有させて応力低減をはかったゲル膜からサブミクロン厚の配向多結晶体PZT薄膜を作製することに成功した。
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http://www.kumse.kansai-u/ac.jp/LABHPFILE/ceramics/top.htm
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