研究課題
基盤研究(B)
ダイヤモンドの最表面を終端する元素を制御するため、走査プローブ顕微鏡による電流印加法を試みた。まず、基礎的なデータとなる水素及び酸素終端の熱力学的安定性を超高真空において分析した。さらにダイヤモンドの核形成や水素終端状態の形成で重要となるバイアス印加条件を、マイクロ波プラズマCVD法における"その場"計測結果から議論した。トンネル電流が生じる環境において、伝導領域を絶縁領域に改質可能であることが示された。
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Proceedings of the 19th International Symposium on Plasma Chemistry No. 541
ページ: 1-4
ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集 第20回
ページ: 144-144
http://www.ips.iis.u-tokyo.ac.jp/