研究課題/領域番号 |
18540328
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
物性Ⅰ
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研究機関 | 株式会社日立製作所(研究開発本部) |
研究代表者 |
諏訪 雄二 株式会社日立製作所(研究開発本部), 基礎研究所, 主任研究員 (20216500)
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研究分担者 |
橋詰 富博 株式会社日立製作所(研究開発本部), 基礎研究所, 主任研究員 (70198662)
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研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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配分額 *注記 |
2,960千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 360千円)
2008年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2007年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2006年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
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キーワード | 表面 / 界面 / 有機半導体 / 有機トランジスタ / 単分子膜 / ショットキーバリア / 電気双極子 / 第一原理計算 / 相補型TFT / 有効遮蔽場法 / 単文子膜 |
研究概要 |
有機トランジスタの実用化に際して課題となる半導体電子状態の局所的な制御を、界面から機能性単分子膜を接触させる事で実現する方法の有効性を、第一原理計算と実験の両面から検討した。その結果、接触抵抗低減や閾値電圧の調整などに実用的に使用できる可能性がある事がわかった。
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