| 研究課題/領域番号 |
18540334
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
李 徳新 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (40281985)
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| 研究分担者 |
二森 茂樹 東北大学, 物質・材料研究機構・強磁場研究センター, 主幹エンジニア (60354320)
塩川 佳伸 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (50111307)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2007
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| 研究課題ステータス |
完了 (2007年度)
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| 配分額 *注記 |
3,820千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 420千円)
2007年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2006年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | ウラン化合物 / スピングラス / f-d(f-p)混成 / 高圧制御 / 交流磁化率 / 磁気クラスター / 長周期磁気秩序 / 高濃度スピングラス / f-d (f-p)混成 |
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| 研究概要 |
本研究では、U_2TSi_3とU_2TGa_3を主なターゲットに選択し、f-d(p)混成の高圧制御を通じて、ウラン化合物高濃度スピングラス(SG)挙動に関する研究を更に深化させる。平成18年度と19年度はそれぞれU_2TSi_3とU_2TGa_3系物質を中心とする実験研究を行った。また、参考物質として典型的な希釈磁性合金SG物質であるAuFe(8%Fe)のスピン凍結状態の特徴、特に高圧下でSG振舞の変化を測定した。以下のオリジナル結果を得た。単純なスピングラス物質であるU_2PdSi_3の単結晶試料を選択し、圧力下でc面内のスピングラス挙動の変化を調べた。その結果、圧力の増加と共にU_2PdSi_3のスピングラス転移温度T_fは単調に減少し、T_fの周波数変化率δT_f(=ΔT_f/(T_fΔlogω)は圧力の増加と共に直線的に増加した。また、動力学解析により、静態スピン凍結温度T_sは小さくなり、臨界指数zvおよび平均励起エネルギーE_a/K_Bは圧力の増加に伴い単調に増加した。一方、圧力下で斜方晶構造を持ちU_2AuGa_3はU_2PdSi_3より複雑な振舞いを示した。U_2AuGa_3のスピングラス転移温度T_fは圧力と共に増加し、0.5GPaまでの圧力をかけるとT_fの周波数変化率δT_fは上昇した。その後、圧力の増加と共にδT_f値は単調に下がった。critical slowing downとVogel-Fulcher lawを利用してT_f(ω)データを解析した結果、臨界指数zvと平均励起エネルギーE_a/K_Bは先に圧力の増加に伴い単調に増加し、約0.5GPaのところで最大値に達し、その後圧力の増加と共に減少した。AuFe(8%Fe)の場合は、圧力の増加と共にスピングラス転移温度T_fは直線的に増加し、T_fの周波数変化率δT_f臨界指数zvおよび平均励起エネルギーE_a/K_Bは単調に減少した。希釈磁性合金SG物質と比べると、NMAD物質のスピングラス振舞は外部圧力の変化に対して非常に敏感であることを明らかにした。
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