| 研究課題/領域番号 |
18550014
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物理化学
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
佐藤 哲也 山梨大学, クリーンエネルギー研究センター, 准教授 (60252011)
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| 研究分担者 |
中川 清和 山梨大学, クリーンエネルギ研究センター, 准教授 (40324181)
山中 淳二 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 准教授 (20293441)
有元 圭介 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 助教 (30345699)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,920千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 420千円)
2008年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2007年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2006年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
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| キーワード | トンネル反応 / 電子線誘起反応 / 極低温 / アモルファスシリコン / 放射線化学 / 水素原子 / 低速電子 / 飛行時間型質量分析計 / 電子銃 / 水素化アモルファスシリコン / アモルファスカーボン / シリコン窒化膜 / 欠陥密度 / 界面準位密度 / ナノ材料 / 太陽電池 / 微結晶シリコン |
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| 研究概要 |
低速電子線誘起反応と低温トンネル反応を利用して水素化アモルファスシリコン薄膜およびナノ構造材料を極低温で合成し、成長過程に関する基礎的知見を得た。モノシランやジシランを原料ガスに用いて40K~100Kの温度領域で製膜し、薄膜の水素含有量や光学定数(屈折率n, 消衰係数k)の温度依存性などを詳細に検討した。また、薄膜の表面分析および電気的特性評価を行った。
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