| 研究課題/領域番号 |
18550172
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
機能材料・デバイス
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| 研究機関 | 独立行政法人情報通信研究機構 |
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研究代表者 |
長谷川 裕之 (独)情報通信研究機構, 未来ICT研究センターナノICTグループ, 特別研究員 (10399537)
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| 研究分担者 |
松田 真生 熊本大学, 大学院自然科学研究科, 准教授 (80376649)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 720千円)
2008年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2007年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2006年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
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| キーワード | 電気・磁気デバイス / ナノ電解法 / スピントロニクス / 有機導体 / ナノワイヤ / 電解結晶成長 / 磁場効果 |
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| 研究概要 |
ナノワイヤ(針状ナノ単結晶)を基にしたデバイスを省エネルギー、低環境負荷な手法で作製可能な「ナノ電解法」を用いて、ナノスケール磁気デバイスの作製に成功した。このナノ結晶に磁場に応答する局在スピンを導入し、電流-電圧特性の磁場効果を測定したところ、20Kにおいて磁場の大きさに応じて電流の増幅効果が見られた。また、磁場の向きによって増幅効果に変化(角度依存性)が現れることが分かった。増幅効果については材料の有する負の磁気抵抗効果によるものと考えられ、今後も更なる研究が必要である。
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