研究課題/領域番号 |
18560002
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
応用物性・結晶工学
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研究機関 | 岩手大学 |
研究代表者 |
吉本 則之 岩手大学, 工学研究科, 准教授 (80250637)
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研究分担者 |
小川 智 岩手大学, 工学部, 教授 (70224102)
藤代 博之 岩手大学, 工学部, 教授 (90199315)
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連携研究者 |
小川 智 岩手大学, 工学部, 教授 (70224102)
藤代 博之 岩手大学, 工学部, 教授 (90199315)
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研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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配分額 *注記 |
3,880千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 480千円)
2008年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2007年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2006年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
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キーワード | 有機半導体 / 結晶成長 / 薄膜 / X線回折 / 有機トランジスタ / X線回析 |
研究概要 |
真空蒸着法による有機半導体薄膜の成長初期過程の解明を目的とし、微少角入射(GIXD)In-planeX線回折により有機半導体薄膜の面内構造を調査し、その膜厚依存性を解明するとともにトランジスタ特性を調査した。本研究において、SiO2ウエハ上に蒸着した平均膜厚0.2~100nmのオリゴチオフェンのIn-plane GIXDパタンを得ることに成功し、膜厚の増加と共に分子間のパッキングが変化することを明らかにした。
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