| 研究課題/領域番号 |
18560017
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 豊田工業大学 |
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研究代表者 |
大下 祥雄 豊田工業大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10329849)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
4,100千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 600千円)
2008年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2007年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2006年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
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| キーワード | 電子デバイス / 電子・電気材料 / 半導体物性 / 結晶成長 / 太陽電池 |
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| 研究概要 |
将来の高効率太陽電池実現のために必要な材料であるInGaNAs系材料の高品質化を目的として研究を行った.結晶成長中における表面反応の制御、具体的には、ステップ密度やステップ端原子などを制御する、あるいは、ガス供給の仕方の(断続供給など)や光照射による表面での成膜種の拡散を促進することが、結晶中の不純物濃度低減ならびに窒素起因の欠陥濃度の減少に有効であることが明らかになり、結晶の高品質化が可能となった.
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