ボンドエンジニアリングによる表面状態図予測とナノ構造形成への応用

• 研究課題/領域番号: 18560020
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 三重大学
• 研究代表者: 伊藤 智徳 三重大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80314136)
• 研究分担者: 秋山 亨 三重大学, 大学院・工学研究科, 助教 (40362363)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2008
• 研究課題ステータス: 完了 (2008年度)
• 配分額: 3,980千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 480千円); 2008年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2007年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2006年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
• キーワード: 量子論的アプローチ / 半導体表面構造 / 状態図 / 計算科学 / ナノ構造 / 成長機構 / ナノワイヤ / 量子ドット / 積層欠陥四面体

研究概要

ボンドエンジニアリング概念に基づく量子論的アプローチにより, ナノ構造形成に重要な「場」としての半導体表面を対象に, 成長条件である温度, 分子線圧力の関数としての表面状態図の理論予測を行った。具体的には, GaAs(001)表面構造予測と計算手法の妥当性の検証, GaAs(lll)表面構造予測とSiドーピング機構, GaN(0001)表面構造予測とGaN成長初期過程, 化合物半導体ナノワイヤにおける構造多形の成因, 積層欠陥四面体形成機構, SiC(ll-20)表面上のAIN薄膜形成過程および構造多形等について検討を行い, ボンドエンジニアリング概念に基づく表面状態図予測のナノ構造形成機構解明への有用性を示した。

研究成果

• [雑誌論文] Abinitio-based apProach to structural change of compound semiconductor surfaces during MBE growth (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Ito, T.Akiyama, and K.Nakamura
  • 雑誌名: J. Cryst. Growth 311 ページ: 698-701
  • 査読あり
• [雑誌論文] Monte Carlo simulation of atomic arrangement in InGaN thin film grown by MOVPE (2009)
  • 著者名/発表者名: Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Tomonori Ito, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 311 ページ: 463-465
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ab initio-based approach to structural change of compound semiconductor surfaces during MBE growth (2009)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 311 ページ: 698-701
  • 査読あり
• [雑誌論文] An empirical potential approach to the formation of InAs-stacking-fault tetrahedron in InAs/GaAs (111) (2009)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Kiyoshi Kanisawa
  • 雑誌名: Proceedings of COMMAD '08 1
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ab initio-based approach to reconstructions of the InP(111)Asurface : Role of hydrogen atoms passivating surface dangling bonds (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Akiyama, T.Kondo, H.Tatematsu, K.Nakamura, and T.Ito
  • 雑誌名: Phys. Rev B78
  • 査読あり
• [雑誌論文] Empirical potential approach to the fbrmation of 3C-SiC(111)/Si(llO) (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Ito, T.Kanno, T.Akiyama, K.Nakamura, A.Konno, and M.Suemitsu
  • 雑誌名: Appl. Phys Express 1
  • 査読あり
• [雑誌論文] Stmctures and electronic properties of Si nanowires grown along the[110]direction : Role of surface reconstruction (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Akivama, K.Nakamura, and T.Ito
  • 雑誌名: Surf. Sci 602 ページ: 3033-3037
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical investigations fbr zinc blende-wurtzite polytypism in GaAs layers at Au/GaAs(111)interfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: Y.Haneda, T.Akiyama, K.Nakamura, and T.Ito
  • 雑誌名: Appl. Surf. Sci 254 ページ: 7746-7749
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical investigations on the fbrmation of wurtzite segments in group III-V semiconductor nanowires (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Yamashita, K.Sano, T.Akivama, K.Nakamura, and T.Ito
  • 雑誌名: ApPl. Surf. Sci 254 ページ: 7668-7671
  • 査読あり
• [雑誌論文] An ab initio-based approach to phase diagram calculations fbr GaAs(001)-(2x4)Y surfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Ito, T.Akiyama, and K.Nakamura
  • 雑誌名: Appl. Surf. Sci 254 ページ: 7663-7667
  • 査読あり
• [雑誌論文] An ab initio-based approach to phase diagram calculations fbr GaN(0001) (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Ito, T.Nakamura, T.Akivama, and K.Nakamura
  • 雑誌名: Appl. Surf. Sci 254 ページ: 7659-7662
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ab initio-based approach to initial growth processes on GaAs(111)B-(2×2)surfaces : Self-surfactant effbct of Ga adatoms revisited (2008)
  • 著者名/発表者名: H.Tatematsu, K.Sano, T.Akivama, K.Nakamura, and T.Ito
  • 雑誌名: Phys. Rev B77
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electronic structures and optical properties of GaN and ZnO nanowires ffom first principles (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Akivama, A.J.Freeman, K.Nakamura, and T.Ito
  • 雑誌名: J. Phys. : Confbrence Series 100
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electronic structures and optical properties of GaN and ZnO nanowires from first principles (2008)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, A. J. Freeman, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Journal of Physics : Conference Series 100
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of oxidation induced strain on microscopic processes related to oxidation reaction at SiO_2Si(001) (2008)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Tomonori Ito, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu
  • 雑誌名: Physical Review B 77
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ab initio-based approach to initial growth processes on GaAs(111)B-(2×2)surfaces : Self-surfactant effect of Ga adatoms revisited (2008)
  • 著者名/発表者名: Hiroaki Tatematsu, Kosuke Sano, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Physical Review B 77
  • 査読あり
• [雑誌論文] Stress dependence of oxidation reaction at SiO_2/Si interfaces during silicon thermal oxidation (2008)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 47 ページ: 7089-7093
  • 査読あり
• [雑誌論文] An ab initio-based approach to phase diagram calculations for GaN(0001) (2008)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Tomoyuki Nakamura, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 雑誌名: Applied Surface Science 254 ページ: 7659-7662
  • 査読あり
• [雑誌論文] An ab initio-based approach to phase diagram calculations for GaAs (001)-(2x4)γ surfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 雑誌名: Applied Surface Science 254 ページ: 7663-7667
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical investigations on the formation of wurtzite segments m group III-V semiconductor nanowires (2008)
  • 著者名/発表者名: Tomoki Yamashita, Kosuke Sano, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Applied Surface Science 254 ページ: 7668-7671
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical investigation on structural stability of InN thin films on 3C-SiC(001) (2008)
  • 著者名/発表者名: Takumi Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Applied Surface Science 254 ページ: 7672-7675
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical investigations for zinc blende-wurtzite polytypism in GaAs layers at Au/GaAs(111)interfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: Yuya Haneda, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Applied Surface Science 254 ページ: 7746-7749
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structures and electronic properties of Si nanowires grown along the [110]direction : Role of surface reconstruction (2008)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Surface Science 602 ページ: 3033-3037
  • 査読あり
• [雑誌論文] Empirical potential approach to the formation of 3C-SiC(111)/Si(110) (2008)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Kanno, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Atsuhi Konno, Maki Suemitsu
  • 雑誌名: Applied Physics Express 1
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ab initio-based approach to reconstructions of the InP(111)A surface : Role of hydrogen atoms passivating surface dangling bonds (2008)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Tomoyuki Kondo, Hiroaki Tatematsu, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Physical Review B 78
  • 査読あり
• [雑誌論文] GaAs表面におけるGa原子のふるまい (2008)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 秋山亨, 中村浩次
  • 雑誌名: 表面科学 29 ページ: 771-776
  • 査読あり
• [雑誌論文] 計算科学から見た閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造の安定性 (2008)
  • 著者名/発表者名: 伊藤 智徳
  • 雑誌名: 日本結晶成長学会誌 34 ページ: 194-200
  • 査読あり
• [雑誌論文] 化合物半導体ナノワイヤにおける閃亜鉛鉱-ウルツ鉱構造多形と回転双晶形成:計算科学的アプローチ" (2008)
  • 著者名/発表者名: 秋山 亨, 中村 浩次, 伊藤 智徳
  • 雑誌名: 日本結晶成長学会誌 34 ページ: 233-239
  • 査読あり
• [雑誌論文] An empirical interatomic potential approach to structural stability ofZnS and ZnSe nanowires (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Akivama, K.Sano, K.Nakamura and T.Ito
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 46 ページ: 1783-1787
  • 査読あり
• [雑誌論文] A simple systematization of structural stability for A^NB^<8-N>compounds (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Ito, T.Akiyama, and K.Nakamura
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 46 ページ: 345-347
  • NAID: 10018705353
  • 査読あり
• [雑誌論文] Orientation and size dependence on structural stability in silicon nanowires : Atransferable tight-binding calculation study (2007)
  • 著者名/発表者名: S.Maeda, T.Akivama, K.Nakamura and T.Ito
  • 雑誌名: J. Cryst. Growth 301-302 ページ: 871-875
  • 査読あり
• [雑誌論文] A Monte Carlo simulation study of twinning fbrmation in InP nanowires (2007)
  • 著者名/発表者名: K.Sano, T.Akivama, K.Nakamura and T.Ito
  • 雑誌名: J. Cryst. Growth 301-302 ページ: 862-865
  • 査読あり
• [雑誌論文] An empirical potential approach to the structural stability of InAs stacking-fault tetrahedron in InAs/GaAs(111) (2007)
  • 著者名/発表者名: H.Joe, T.Akiyama, K.Nakamura, K.Kanisawa and T.Ito
  • 雑誌名: J. Cryst. Growth 301-302 ページ: 837-840
  • 査読あり
• [雑誌論文] A nempirical potential approach to the structural stability of InAs stackingfault tetrahedron in InAs/GaAs(111) (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Joe, T. Akiyama, K. Nakamura, K. Kanisawa, T. Ito
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 301-302 ページ: 837-840
  • 査読あり
• [雑誌論文] A Monte Carlo simulation study of twinning formation in InP nanowires (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Sano, T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito
  • 雑誌名: Journal of Crysfal Growth 301-302 ページ: 862-865
  • 査読あり
• [雑誌論文] Orientation and size dependence on structural stability in silicon nanowires: a transferable tight-inding calculation study (2007)
  • 著者名/発表者名: S, Maeda, T. Akiyama, K. Nakamura, T. Ito
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 301-302 ページ: 871-875
  • 査読あり
• [雑誌論文] An empirical interatomic potential approach to strural stabilityof ZnS and ZnSe nanowires (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Akiyama, K. Sano, K. Nakamura, T. Ito
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 46 ページ: 1782-1787
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structures and energetics of ZnO,ZnS and ZnSe nanowires: an empirical approach (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Akiyama, K. Sano, K. Nakamura, T. Ito
  • 雑誌名: Proceedings of the 28th International Conference on the Physics of Semiconductors ページ: 55-56
  • 査読あり
• [雑誌論文] Simple systematization of structural stability for A^NB^<8-N> compounds (2007)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 46・1 ページ: 345-347
  • NAID: 10018705353
• [雑誌論文] Systematic theoretical investigations of compositional inhomogeneity in In_xGa_<1-x>N thin films on GaN(0001) (2007)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Shingo Inahama, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 298・1 ページ: 186-189
• [雑誌論文] An empirical potential approach to the structural stability of InAs stacking-fault tetrahedron in InAs/GaAs(111) (2007)
  • 著者名/発表者名: Hidenori Joe, T.Akiyama, K.Nakamura, K.Kanisawa, T.Ito
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth (印刷中)
• [雑誌論文] Orientation and size dependence on structural stability in silicon nanowires : a transferable tight-binding calculation study (2007)
  • 著者名/発表者名: Shogo Maeda, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth (印刷中)
• [雑誌論文] A Monte Carlo simulation study of twinning formation in InP nanowires (2007)
  • 著者名/発表者名: Kosuke Sano, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth (印刷中)
• [雑誌論文] Stacking sequence prefbrence of pristine and hydrogen-terminated Si nanowires on Si(111)substrates (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Akiyama, K.Nakamura, and T.Ito
  • 雑誌名: Phys. Rev B74
  • 査読あり
• [雑誌論文] Stmctural stability and electronic structures of InP nanowires : Role of surface dangling bonds on nanowire facets (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Akiyama, K.Nakamura, and T.Ito
  • 雑誌名: Phys. Rev B73
  • 査読あり
• [雑誌論文] A simple approach to polytypes of SiC and its application to nanowires (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Ito, K.Sano, T.Akivama, and K.Nakamura
  • 雑誌名: Thin Solid Films 508 ページ: 243-246
  • 査読あり
• [雑誌論文] An empirical potential approach to wurtzite-zinc blende polytypism in group III-V semiconductor nanowires (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Akivama, K.Nakamura, and T.Ito
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 45
  • NAID: 10018158441
  • 査読あり
• [雑誌論文] Stacking sequence preference of pristine and hydrogen-terminated Sinanowires on Si (111) substrates (2006)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 雑誌名: Physical Review B 74・3
• [雑誌論文] Theoretical approach to structural stability of GaN : How to grow cubic GaN
  • 著者名/発表者名: Yoshihiro Kangawa, Toru Akiyama, Tomonori Ito, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth (印刷中)
  • 査読あり
• [雑誌論文] An ab initio-based approach the stability of GaN(0001)surfaces under Ga-rich conditions
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth (印刷中)
  • NAID: 120002223761
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electronic structures and optical properties of GaN and ZnO nanowires from first principles
  • 著者名/発表者名: T. Akiyama, A. J. Freeman, K. Nakamura. T. Ito
  • 雑誌名: Journal of Physics: Condensed Matter (印刷中)
  • 査読あり
• [雑誌論文] An ab initio-based approach to phase diagram calculations for GaAs(ooi)-(2x4)y surfaces
  • 著者名/発表者名: T. Ito, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 雑誌名: Applied Surface Science (印刷中)
  • 査読あり
• [雑誌論文] An ab initio-baced approach to phase diagram calculations for GaN(0001)surfaces
  • 著者名/発表者名: T. Ito, T. Nakamura, T. Akiyama, K. Nakamura
  • 雑誌名: Applied Surface Science (印刷中)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical investigations for zinc blende - wurtzite polytypism in GaAs layers at Au/GaAs(111)interfaces
  • 著者名/発表者名: Y. Haneda, T. Aldyama, K. Nakamura, T. Ito
  • 雑誌名: Applied Surface Science (印刷中)
  • 査読あり
• [学会発表] InAs(111)A表面上のIn吸着原子に起因する電子状態の理論検討 (2009)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 蟹澤聖
  • 学会等名: 日本物理学会第63回年次大会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-03-28
• [学会発表] Stability of Mg-incorporated InN surfaces : First-principles study (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Akivama, K.Nakamura, T.Ito, J.H.Song, and A.J.Freeman
  • 学会等名: American Physical Society March Meeting
  • 発表場所: Pittsburgh
  • 年月日: 2009-03-18
• [学会発表] Stability of Mg-incorporated InN surfaces : first-principles study (2009)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, J. H. Song, A. J. Freeman
  • 学会等名: American Physical Society March Meeting
  • 発表場所: Pittsburgh
  • 年月日: 2009-03-18
• [学会発表] SiO_2中の窒素と窒素酸化物分子の理論検討 (2009)
  • 著者名/発表者名: 影島博之, 秋山亨, 植松真司, 伊藤智徳
  • 学会等名: 第14回ゲートスタツク研究会「材料・プロセス・評価の物理」
  • 発表場所: 三島
  • 年月日: 2009-01-24
• [学会発表] 混晶半導体薄膜の原子配列に関する理論検討 (2008)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 秋山亨, 中村浩次
  • 学会等名: 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「半導体サイエンスと半導体テクノロジーの融合-技術を先導する半導体サイエンスを目指して-」
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2008-12-05
• [学会発表] Reaction mechanisms of H_20 molecules at SiO_2/Si interface during silicon thermal oxidation (2008)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu, Tomonori Ito
  • 学会等名: 2008 International Workshop on "Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices : Science and Technology"
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2008-11-06
• [学会発表] Theoretical study on nitrogen and nitrogen oxide molecules in silicon oxide (2008)
  • 著者名/発表者名: Hiroyuki Kageshima, Toru Akiyama, Masashi Uematsu, Tomonori Ito
  • 学会等名: 2008 International Workshop on "Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices : Science and Technology"
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2008-11-06
• [学会発表] 立方晶GaNエピ成長における成長形の制御 (2008)
  • 著者名/発表者名: 寒川義裕, 秋山亨, 伊藤智徳, ^*白石賢二, ^*柿本浩一
  • 学会等名: 第38回結晶成長国内会議
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2008-11-04
• [学会発表] Theoretical investigation on the structural stability of GaP nanowires with{111}facets (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Yamashita, T.Akivama, K.Nakamura, and T.Ito
  • 学会等名: The 4^<th> Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia
  • 発表場所: 松江
  • 年月日: 2008-10-29
• [学会発表] An ab initio-based approach to reconstructions of the InP(111)Asurfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Akivama, T.Kondo, K.Nakamura, and T.Ito
  • 学会等名: The 4^<th> Vacuum and Surface Science Confbrence of Asia and Australia
  • 発表場所: 松江
  • 年月日: 2008-10-29
• [学会発表] An ab initio-based approach to reconstructions of the InP(111)A surfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Tomoyuki Kondo, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: The 4^<th> Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia
  • 発表場所: 松江
  • 年月日: 2008-10-29
• [学会発表] Empirical potential approach to the formation of 3C-SiC(111)/Si(110) (2008)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Kanno, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Atsushi Konno, Maki Suemitsu
  • 学会等名: The 4^<th> Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia
  • 発表場所: 松江
  • 年月日: 2008-10-29
• [学会発表] Systematic theoretical investigations for contribution of lattice constraint to novel atomic arrangements in alloy semiconductor thin films (2008)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Naoki Takasu, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 学会等名: The 4^<th> Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia
  • 発表場所: 松江
  • 年月日: 2008-10-29
• [学会発表] Theoretical investigation on the structural stability of GaP nanowires with {111} facets (2008)
  • 著者名/発表者名: Tomoki Yamashita, Toru Akiyama, Kohji Nakamur, Tomonori Ito
  • 学会等名: The 4^<th> Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia
  • 発表場所: 松江
  • 年月日: 2008-10-29
• [学会発表] Theoretical investigation on structural stability of AIN thin films on Si(001) (2008)
  • 著者名/発表者名: Daisuke Ammi, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: The 4^<th> Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia
  • 発表場所: 松江
  • 年月日: 2008-10-29
• [学会発表] Systematic theoretical investigation fbr adsorption behavior of A1 and N atoms on 4H-SiC(11-20)surfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Ito, T.Akivama, K.Nakamura, and T.Ito
  • 学会等名: The 4^<th> Vacuum and Surface Science Confbrence of Asia and Australia
  • 発表場所: 松江
  • 年月日: 2008-10-28
• [学会発表] An ab initio-based approach to adsorption-desorption behavior of Si atoms on GaAs(111)A-(2×2)surfhces (2008)
  • 著者名/発表者名: H.Tatematsu, T.Akivama, K.Nakamura, and T.Ito
  • 学会等名: The 4^<th> Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia
  • 発表場所: 松江
  • 年月日: 2008-10-28
• [学会発表] An ab initio-based approach to adsorption-desorption behavior of Si atoms on GaAs(111)A-(2×2)surfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: Hiroaki Tatematsu, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: The 4^<th> Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia
  • 発表場所: 松江
  • 年月日: 2008-10-28
• [学会発表] Systematic theoretical investigation for adsorption behavior of Al and Natoms on 4H-SiC(11-20)surfaces (2008)
  • 著者名/発表者名: Takumi Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: The 4^<th> Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia
  • 発表場所: 松江
  • 年月日: 2008-10-28
• [学会発表] GaAs(111)A-(2×2)表面上のSi原子の吸着・脱離に関する第一原理からの検討 (2008)
  • 著者名/発表者名: 立松洋明, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 春日井
  • 年月日: 2008-09-04
• [学会発表] V溝基板上GaN_xAs_<1x>における原子配列の成因に関する検討 (2008)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 高須直紀, 秋山亨, 中村浩次
  • 学会等名: 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 春日井
  • 年月日: 2008-09-04
• [学会発表] InP(111)A表面における表面再構成に関する理論的検討 (2008)
  • 著者名/発表者名: 近藤智之, 立松洋明, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 春日井
  • 年月日: 2008-09-04
• [学会発表] 4H-SiC(11-20)基板表面におけるAlおよびN吸着原子の挙動に関する理論検討 (2008)
  • 著者名/発表者名: 伊藤巧, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 春日井
  • 年月日: 2008-09-04
• [学会発表] Si(OO1)基板上AlN薄膜の構造安定性に関する理論検討 (2008)
  • 著者名/発表者名: 安味大輔, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 春日井
  • 年月日: 2008-09-04
• [学会発表] Au/GaAs(111)界面におけるGaAs層の構造安定性に関する理論検討 (2008)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨, 羽田優也, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 春日井
  • 年月日: 2008-09-03
• [学会発表] [111]方向に成長するGaPナノワイヤの構造安定性に関する理論検討 (2008)
  • 著者名/発表者名: 山下智樹, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 春日井
  • 年月日: 2008-09-03
• [学会発表] SiO_2/Si界面におけるH_2分子の界面反応機構 (2008)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨, 影島博之, 植松真司, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 春日井
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] An empirical potential approach to the formation of InAs stacking-fault tetrahedron in InAs/GaAs(111) (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Ito, H.Joe, T.Akivama, and K.Nakamura
  • 学会等名: Intemational Conference on Electronic Materials 2008
  • 発表場所: Sydney
  • 年月日: 2008-07-30
• [学会発表] An empirical potential approach to the formation of InAs stacking-fault tetrahedron in InAs/GaAs (111) (2008)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Kiyoshi Kanisawa
  • 学会等名: International Conference on Electronic Materials 2008
  • 発表場所: Sydney
  • 年月日: 2008-07-30
• [学会発表] Theoretical study of growth condition of cubic GaN (2008)
  • 著者名/発表者名: Yoshihiro Kangawa, Toru Akiyama, Tomonori Ito, Kenji Shiraishi, Koichi Kakimoto
  • 学会等名: 第27回電子材料シンポジウム
  • 発表場所: 修善寺
  • 年月日: 2008-07-09
• [学会発表] An ab initio-based apProach to the stability of GaN(0001)surfhces under Ga-rich conditions (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Ito, T.Akivama,and K.Nakamura
  • 学会等名: The 2^<nd> International Symposium on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: 修善寺
  • 年月日: 2008-07-07
• [学会発表] An ab initio-based approach to the stability of GaN(0001)surfaces under Ga-rich conditions (2008)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 学会等名: The 2^<th> International Symposium on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: 修善寺
  • 年月日: 2008-07-07
• [学会発表] Theoretical approach to structural stability of GaN : how to grow cubic GaN (2008)
  • 著者名/発表者名: Yoshihiro Kangawa, Toru Akiyama, Tomonori Ito, KenjiShiraishi, Koichi Nakimoto
  • 学会等名: The 2^<nd> International Symposium on Growth of III-Nitrides
  • 発表場所: 修善寺
  • 年月日: 2008-07-07
• [学会発表] Ab initio-based apProach to structural change of compound semiconductor surfaces during MBE growth (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Ito, T.Akiyama, and K.Nakamura
  • 学会等名: The 4^<th> Asian Confbrence on Crystal Growth and Crystal Technology
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2008-05-23
• [学会発表] Ab initio-based approach to structural change of compound semiconductor surfaces during MBE growth (2008)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 学会等名: The 4^<th> Asian Conference on Crystal Growth, Crystal Technology
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2008-05-23
• [学会発表] Monte Carlo simulation of atomic arrangement in InGaN thin film grown by MOVPE (2008)
  • 著者名/発表者名: Yoshihiro Kanrgawa, Koichi Kakimoto, Tomonori Ito, Akinori Koukitu
  • 学会等名: The 4^<th> Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2008-05-22
• [学会発表] Au/GaAs(111)界面におけるウルツ鉱構造GaAs層の形成に関する理論検討 (2008)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨, 羽田優也, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 船橋
  • 年月日: 2008-03-27
• [学会発表] 積層欠陥四面体と貫通転位の構造安定惟に関する理論検討 (2008)
  • 著者名/発表者名: 伊藤 智徳, 城秀典, 秋山 亨, 中村 浩次, 蟹澤 聖
  • 学会等名: 2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 船橋
  • 年月日: 2008-03-27
• [学会発表] [110]方向に成長するシリコンナノワイヤの構造と電子状態 (2008)
  • 著者名/発表者名: 秋山 亨, 中村 浩次, 伊藤 智徳
  • 学会等名: 日本物理学会第63回年次大会
  • 発表場所: 東大阪
  • 年月日: 2008-03-24
• [学会発表] ナノエピタキシーの物理的理解 (2008)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳
  • 学会等名: 日本物理学会第63回年次大会
  • 発表場所: 東大阪
  • 年月日: 2008-03-23
• [学会発表] Stnlcture and electronic properties of silicon nanowires grown along the[110]direction : Role of surface reconstructions (2008)
  • 著者名/発表者名: T.Akivama, K.Nakamura, and T.Ito
  • 学会等名: American Physical Society March Meeting
  • 発表場所: New Orleans
  • 年月日: 2008-03-10
• [学会発表] Stucture and electronic properties of silicon nanowires grown along the [110]direction:role of surface reconstructions (2008)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: American Physical Society March Meeting
  • 発表場所: New Orleans
  • 年月日: 2008-03-10
• [学会発表] An ab initio-based approach to phase diagram calculations for GaN(0001) surfaces (2007)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Tomoyuki Nakamura, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
  • 学会等名: 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2007-11-15
• [学会発表] Theoretical investigations on the formation of wurtzite segments in group III-V semiconductor nanowires (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Yamashita, K.Sano, T.Akivama, K.Nakamura, and T.Ito
  • 学会等名: 9^<th> International Confbrence on Atomically Controlled Surfaces InterfacesandNanostnlctures
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2007-11-13
• [学会発表] An ab initio-based approach to phase diagram calculations fbr GaAs(001)-(2x4)Y surfaces (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Ito, T.Akiyama, and K.Nakamura
  • 学会等名: 9^<th> International Confbrence on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2007-11-13
• [学会発表] An ab initio-based approach to phase diagram calculations for GaAs(001)-(2x4)Y surfaces (2007)
  • 著者名/発表者名: Tomonori Ito, Toru Aldyama, Kohji Nakamura
  • 学会等名: 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2007-11-13
• [学会発表] Theoretical investigations on the formation of wurtzite segments in group III-V semiconductor nanowires (2007)
  • 著者名/発表者名: Tomoki Yamashita, Kosuke Sano, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: 9th Intemational Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2007-11-13
• [学会発表] Theoretical investigations for zinc blende-wurtzite polytypism in GaAs layers at Au/GaAs(111)interfaces (2007)
  • 著者名/発表者名: Yuya Haneda, Kosuke Sano, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
  • 学会等名: 9th International Conference on Atomially Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2007-11-13
• [学会発表] シリコンナノワイヤの構造と電子状態 (2007)
  • 著者名/発表者名: 秋山 亨, 中村 浩次, 伊藤 智徳
  • 学会等名: 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2007-10-26
• [学会発表] Au/GaAs(111)界面におけるGaAs層のウルツ鉱-閃亜鉛鉱構造多形に関する理論検討 (2007)
  • 著者名/発表者名: 羽田 優也, 秋山 亨, 中村 浩次, 伊藤 智徳
  • 学会等名: 2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 札幌
  • 年月日: 2007-09-06
• [学会発表] III-V族化合物半導体ナノワイヤにおける回転双晶形成の理論検討 (2007)
  • 著者名/発表者名: 山下 智樹, 佐野 孝典, 秋山 亨, 中村 浩次, 伊藤 智徳
  • 学会等名: 2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 札幌
  • 年月日: 2007-09-06
• [学会発表] GaAs(001)<2x4)Y表面構造状態図作成への量子論的アプローチ (2007)
  • 著者名/発表者名: 伊藤 智徳, 秋山 亨, 中村 浩次
  • 学会等名: 2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 札幌
  • 年月日: 2007-09-06
• [学会発表] First-principles study of electronic structures and optical properties of GaN and ZnO nanowires (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Akivama, K.Nakamura, T.Ito, and A.J.Freeman
  • 学会等名: 13^<th> International Confbrence on Sur血ce Science
  • 発表場所: Stockholm
  • 年月日: 2007-07-04
• [学会発表] First-principles study of electronic structures and optical properties of GaN and ZnO nanowires (2007)
  • 著者名/発表者名: Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito and A. J. Freeman
  • 学会等名: 13th International Conference on Surface Science
  • 発表場所: Stockholm
  • 年月日: 2007-07-04
• [学会発表] InPナノワイヤにおける回転双晶形成に関する理論検討 (2007)
  • 著者名/発表者名: 秋山亨, 佐野孝典, 中村浩次, 伊藤智徳
  • 学会等名: 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 相模原
  • 年月日: 2007-03-28
• [学会発表] GaAs(001)-(2×4)Y表面構造安定性に関する基本検討 (2007)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 秋山亨, 佐野孝典, 中村浩次
  • 学会等名: 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 相模原
  • 年月日: 2007-03-28
• [学会発表] Electronic structures and optical properties of GaN and ZnO nanowires (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Akivama, K.Nakamura, T.Ito, and A.J.Freeman
  • 学会等名: American Physical Society March Meeting
  • 発表場所: Denver
  • 年月日: 2007-03-07
• [学会発表] Orientation and size dependence on structural stability in silicon nanowires : A transferable tight-binding calculation study (2006)
  • 著者名/発表者名: S.Maeda, T.Akivama, K.Nakamura, and T.Ito
  • 学会等名: 14^<th> International Confbrence on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2006-09-05
• [学会発表] An empirical potential approach to the structural stability of InAs stacking-fault tetrahedron in InAs/GaAs(111) (2006)
  • 著者名/発表者名: H.Joe, T.Akiyama, K.Nakamura, and T.Ito
  • 学会等名: 14^<th> International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2006-09-05
• [学会発表] イオン性を用いたA^<8-N>B^N化合物の安定構造状態図作成への簡単なアプローチ (2006)
  • 著者名/発表者名: 伊藤智徳, 秋山亨, 中村浩次
  • 学会等名: 2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 相模原
  • 年月日: 2006-08-29
• [学会発表] Structures and energetics of ZnO, ZnS and ZnSe nanowires : An empirical interatomic potential apProach (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Akiyama, K.Nakamura, and T.Ito
  • 学会等名: 26^<th> International Confbrence on the Physics of Semiconductors
  • 発表場所: Vienna
  • 年月日: 2006-07-26
• [図書] 材料デバイス工学 (2008)
  • 著者名/発表者名: 妹尾允史, 伊藤智徳(分担報筆)
  • 出版者: コロナ社
• [図書] 材料デバイス工学 (2008)
  • 著者名/発表者名: 妹尾允史, 伊藤智徳
  • 出版者: コロナ社