研究課題
基盤研究(C)
負の電子親和力(NEA: Negative Electron Affinity)を有する半導体(GaAs)表面上に、鉄などの強磁性薄膜(多層膜)を成長させた系で、放出される光電子のスペクトルを観測し、表面上の薄膜の存在・膜厚によるスピン偏極度とフェルミレベルの変化を明らかにすることを目的とした。特に、円偏光励起されたNEA表面からの放出電子はスピン偏極しており、その偏極電子が表面薄膜を透過する際の相互作用をスピン分解光電子分光法で直接測定につなげることを目指した。まず既存装置全体の改良を行った。具体的には、まず超高真空の排気系の改良として新規にポンプを導入し良好な超高真空状態を実現した。次に、装置内部のマニピュレータの改良をし、蒸着機構を更新し、動作テストした。磁化のための一軸の比較的強度の大きい電磁石を設計・製作し、二軸型のコイルのための電源を導入・調整した。一軸の電磁石の性能評価を行い、概ね満足のいく結果を得た。また二軸型の電磁石は回転磁場を与えることも可能にすべく電源の更新・調整を行い、別のプロジェクトの共同者と共にその磁場の調整をした。光学系の検出器を導入し、現在光学系の調整とあわせて検出器の性能評価を行った。これと並行して、典型的な鉄系の多層膜の例として別の超高真空装置を用いて鉄などの強磁性体に希土類を挟み込むまたは、共蒸着する系で、そのRHEEDやAFM、TEM観察などを行った。また、保護膜として、MBE内で成長した試料にアモルファスAsのキャップを施し、外部の放射光施設に持ち込みスペクトルをとった。放射光施設での結果は現在解析中である。
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Journal of Crystal Growth 不明(掲載確定)
Transactions of the Materials Research Society of Japan 34(掲載確定)
Extended Abstract of the 2007 International Conference on Solid State Device and Materials
ページ: 68-68
Extended Abstract of the 2007 International Conference on Solid State Device and Materials 68
Extended Abstract of the 2006 International Conference on SoUd State Device and Materials
ページ: 1084-1085
Extended Abstract of the 2006 International Conference on Solid State Device and Materials 1084
Journal of Crystal Growth (in press)
Transactions of the Materials Research Society of Japan 34 (accepted)
