次世代CMOS技術のためのメタルゲート材料の探索

• 研究課題/領域番号: 18560298
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: アヘメト パールハット (AHMET Parhat / AHMET PARHAT) 東京工業大学, フロンティア研究センター, 助教 (00418675)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2008
• 研究課題ステータス: 完了 (2008年度)
• 配分額: 4,030千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 630千円); 2008年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2007年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2006年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
• キーワード: 高誘電率絶縁膜 / 希土類酸化物 / メタルゲート / 電極材料 / ランタンオキサイド / トランジスタ / La203 / 仕事関数 / CMOS / MOSキャパシタ / La_2O_3

研究概要

CMOS 集積回路の微細化のためその絶縁膜に高誘電率絶縁膜用いられるようになりつつある。最近の研究結果からランタンオクサイドなどの希土類酸化物は次世代高誘電率絶縁膜としてもっとも有望であることが示され、ランタンオクサイドをCMOS集積回路技術用に導入するために必要となる電極材料の開発が急務となった。本研究では、希土類酸化物ランタンオクサイドを用いる次世代CMOS技術のためのメタルゲート材料の研究開発を行った。

研究成果

• [雑誌論文] Electrical characteristics of MOSFETs with La2O3/Y2O3 gate stack (2008)
  • 著者名/発表者名: P. Ahmet, K. Nakagawa, K. Kakushima, H. Nohira, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai
  • 雑誌名: Microelectronics Reliability 48 ページ: 1769-1771
  • 査読あり
• [学会発表] La-based oxides for High-k Gate Dielectric Application (2006)
  • 著者名/発表者名: P. Ahmet, K. Kakushima, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai
  • 学会等名: ICSICT-2006
  • 発表場所: Shanghai, China
• [産業財産権] 半導体装置及びコンデンサ (2007)
  • 発明者名: パールハット アヘメト、岩井 洋、服部 健雄、筒井 一生、角嶋 邦之、知京 豊裕
  • 出願年月日: 2007-03-06