| 研究課題/領域番号 |
18560344
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 工学院大学 |
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研究代表者 |
本田 徹 工学院大学, 工学部, 教授 (20251671)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,750千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 450千円)
2008年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2007年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2006年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
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| キーワード | 窒化物 / 半導体 / 発光素子 / 面発光 / 集積 / 発光ダイオード / エレクトロルミネッセンス / 分子線エピタキシャル成長 / 紫外線発光 / 窒化ガリウム / ショットキー型 / アルミニウム / 集積化 / 窒化物半導体 / GaN / ディスプレイ / 分子線エピタキシー |
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| 研究概要 |
高効率発光ダイオードがダブルへテロ構造および量子井戸、pn接合により実現されているが、マイクロディスプレイ応用の観点から、製作コストの点からデバイス構造の抜本的改革が必要とされている。本研究ではショットキー型発光ダイオードに着目し、低コスト集積化応用およびその発光効率向上を検討してきた。本素子は、逆方向リーク電流が少ないことが、素子の動作原理上要求される。窒化物上に蒸着したアルミニウム薄膜の大気中酸化およびその大気中エッチングにより低リーク電流を実現した
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