| 研究課題/領域番号 |
18560353
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 名城大学 |
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研究代表者 |
上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)
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| 研究分担者 |
天野 浩 名城大学, 理工学部, 教授 (60202694)
岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)
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| 連携研究者 |
天野 浩 名城大学, 理工学部, 教授 (60202694)
岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
3,930千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 630千円)
2008年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2007年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2006年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
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| キーワード | LED / 半導体 / 光取出し効率 / 電子線露光 / モスアイ構造 / 光取り出し効率 / 光制御 / 窒化物 / SiC / ナノ構造 / moth-eye / Moth-Eye / 発光ダイオード / リソグラフィー / エッチング |
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| 研究概要 |
周期300nmの三角格子配置を有するモスアイ構造の作製方法を検討し、テーパー角度制御のためのエッチングマスク材構成を最適化することができた。また、理論計算によって予測された光透過率の角度依存性、光取出し効率の周期依存性は、実験値と定性的に一致することが確認できた。さらに、周期が500nm-600nmの範囲においては、モスアイ構造において反射される光が周期によって決定されるブラッグの回折条件を満たす反射角に変化することを見出し、SiC基板上青色LEDにこれを適用すると240%の光出力向上を得ることができた。
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