• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

組み合わせ論理回路のソフトエラー評価を可能とするLSIテスト技術

研究課題

研究課題/領域番号 18560359
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関独立行政法人宇宙航空研究開発機構

研究代表者

小林 大輔  独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 助教 (90415894)

研究分担者 廣瀬 和之  独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 准教授 (00280553)
齋藤 宏文  独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究本部, 教授 (80150051)
研究期間 (年度) 2006 – 2007
研究課題ステータス 完了 (2007年度)
配分額 *注記
3,660千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 360千円)
2007年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2006年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
キーワードソフトエラー / シングルイベント効果 / スキャン設計 / テスト容易化設計 / 放射線 / VLSI / 論理回路 / SET
研究概要

論理LSIで起きるソフトエラーへの懸念が増しており,そのソフトエラー率を実験的に評価する要求が高まっている.論理LSIのソフトエラーは,チップ内部に散在する,多数のフリップフロップやラッチ回路の記憶データが放射線によって反転することで起きる.そのエラー率を評価するためには,各のフリップフロップやラッチ回路について,どれだけデータ反転(すなわちソフトエラー)が起きたかを個別に知る必要がある.更にソフトエラーのメカニズムが二つあるので,どのメカニズムでどれだけ起きたか個別に評価できなければいけない.一つは,放射線が,データを保持しているフリップフロップやラッチ回路そのものに当たってソフトエラーが起きた場合であり,もう一つは,放射線が組み合わせ論理回路に当たってSETと言うパルスノイズを発生させ,それをフリップフロップやラッチ回路が取り込んで起きた場合である.とりわけ,「組み合わせ論理回路のソフトエラー」と呼ばれる後者のエラーについて,その影響を評価する必要性が急速に増してきている.
我々は,これらの要求を満たすLSIテスト技術を開発した.LSIの動作検証のために広く利用されているスキャン技術を基に,ソフトエラーを評価するためのスキャン・フリップフロップ回路を考案し,それを用いてどう放射線試験をすれば良いかを考案した.
評価チップを試作して放射線照射試験を行ない,考案テスト技術の妥当性を実証した.更に,その技術を用いて各種論理回路を設計することが現実的に可能であるかどうかを吟味したところ,本テスト技術の導入の影響は十分小さく,回路設計は現実的に可能であると判断できた.
また,上記の主な成果に加えて、SOI-CMOS論理ゲートで発生するSETパルスの極めて詳細な実測データを世界に先駆けて報告するとともに,SETパルスの波形を高速かつ高精度に推定する方法を開発することに成功した.

報告書

(3件)
  • 2007 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 2006 実績報告書
  • 研究成果

    (47件)

すべて 2008 2007 2006 その他

すべて 雑誌論文 (19件) (うち査読あり 7件) 学会発表 (28件)

  • [雑誌論文] Scan-architecture-based evaluation technique of SET and SEU soft-error rates at each flip-flop in logic VLSI systems2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Yanagawa, et. al.
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nuclear Science (印刷中)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Scan-architecture-based evaluation technique of SET and SEU soft-errorrates at each fhip-flop in logic VLSI systems2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Yanagawa, et. al.
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nuclear Science (印刷中)

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Feasibility study of a table-based SET-pulse estimation in logic cells from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007

    • 著者名/発表者名
      D.Kobayashi, et. al.
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nuclear Science 54

      ページ: 2347-2354

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書 2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Estimation of single event transient voltage pulses in VLSI circuits from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007

    • 著者名/発表者名
      D.Kobayashi, et. al.
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nuclear Science 54

      ページ: 1037-1041

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Feasibility study of a table-based SET-pulse estimation in logic cells from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007

    • 著者名/発表者名
      D. Kobayashi, et. al.
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nuclear Science vol.54, no.6

      ページ: 2347-2354

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Estimation of single event transient voltage pulses in VLSI circuits from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007

    • 著者名/発表者名
      D. Kobayashi, et. al.
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nuclear Science vol.54, no.4

      ページ: 1037-1041

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Estimation of single event transient voltage pulses in VLSI circuits fromheavy-ion・-induced transient currents measured in a single MOSFET2007

    • 著者名/発表者名
      D.Kobayashi, et. al.
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nuclear Science 54

      ページ: 1037-1041

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Estimation of single event transient voltage pulses in VLST circuits from heavy-ion-induced transients measured in a single MOSFET2007

    • 著者名/発表者名
      D.Kobayashi et al.
    • 雑誌名

      IEEF Transactions on Nuclear Science 54(4)(印刷中)

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Estimation of single event transient voltage pluses in VLSI circuits from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007

    • 著者名/発表者名
      D.Kobayashi et al.
    • 雑誌名

      Proc. 2006 Radiation aeffects on Components and Systemes (RADECS) Workshop (印刷中)

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Time-domain component analysis of heavy-ion-induced transient currents in fully-depleted SOI MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      D.Kobayashi, et. al.
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nuclear Science 53

      ページ: 3372-3378

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Direct measurement of SET pulse-widths in 0.2-μm SOI logic cells irradiated by heavy ions2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Yanagawa, et. al.
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nuclear Science 53

      ページ: 3575-3578

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Time-domain component analysis of heavy-ion-induced transient currents in fully-depleted SOI MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      D. Kobayashi, et. al.
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nuclear Science vol.53, no.6

      ページ: 3372-3378

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Direct measurement of SET pulse-widths in 0.2-μm SOI logic cells irradiated by heavy ions2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Yanagawa, et. al.
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nuclear Science vol.53, no.6

      ページ: 3575-3578

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [雑誌論文] Time-domain component analysis of heavy-ion-induced transient currents in fully-depleted SOI MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      D.Kobayashi et al.
    • 雑誌名

      IEEF Transactions on Nuclear Science 53(6)

      ページ: 3372-3378

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Direct measurement of SET pulse-widths in 0.2-μm SOI logic cells irradiated by heavy ions2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Yanagawa et al.
    • 雑誌名

      IEEF Transactions on Nuclear Science 53(6)

      ページ: 3575-3578

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Time-domain component analysis of heavy-ion-induced transient-currents in fully-depleted SOi MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      D.Kobayashi et al.
    • 雑誌名

      Proc. 7th Int. Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA)

      ページ: 99-102

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] 単体トランジスタで観測された重イオン誘起過渡電流に基づくシングルイベント過渡電圧パルスの波形推定2006

    • 著者名/発表者名
      小林大輔 他
    • 雑誌名

      第7回半導体の放射線照射効果研究会予稿集

      ページ: 45-48

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] 0.2μm FD-SOI論理セルにおけるシグナルイベント・トランジェントのパル幅測定2006

    • 著者名/発表者名
      柳川善光 他
    • 雑誌名

      第7回半導体の放射線照射効果研究会

      ページ: 37-40

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Scan-architecture-based evaluation technique of SET and SEU soft-error rates at each flip-flop in logic VLSI systems"

    • 著者名/発表者名
      Y. Yanagawa, et. al.
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Nuclear Science to be published (to be published)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Experimental verification of scan-architecture-based evaluation technique of SET and SEU soft-error rates at each flip-flop in logic VLSI systems2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Yanagawa, et. al.
    • 学会等名
      2008 European Workshop on Radiation Effects on Components and Systems(RADECS)
    • 発表場所
      Jyvaskyla,Finland
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 民生SOI技術に基づく高信頼・高性能宇宙用論理LSIの研究2008

    • 著者名/発表者名
      牧野 高紘, 他
    • 学会等名
      第8回宇宙科学シンポジウム
    • 発表場所
      宇宙科学研究本部(神奈川県相模原市)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Experimental Verification of Scan-Architecture-Based Evaluation Technique of SET and SEU Soft-Error Rates at Each Flip-Flop in Logic VLSI Systems2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Yanagawa, et. al.
    • 学会等名
      2008 European Workshop on Radiation Effect on Components and Systems(RADECS) , submitted for possible publication.
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Expehmental verification of scan-architecture-based evaluation techniqueof SET and SEU soft-error rates at each flip-flop in logic VLSI systems2008

    • 著者名/発表者名
      Y.Yanagawa, et. al.
    • 学会等名
      2008 European Workshop on Radiation Effects on Components and Systems(RADECS)
    • 発表場所
      Jyvaskyla, Finland
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Scan-architecture-based evaluation technique of SET and SEU soft-error rates at each flip-flop in logic VLSI systems2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Yanagawa, et. al.
    • 学会等名
      2007 European Conference on Radiation Effects on Components and Systems(RADECS)
    • 発表場所
      Deauville,France
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 論理回路の新しいソフトエラーモード『シングルイベント・トランジェント』をデバイスレベルで考える2007

    • 著者名/発表者名
      小林大輔, 他
    • 学会等名
      2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会内シンポジウム「先端LSIに与える放射線の影響"ソフトエラーとハードエラー"」
    • 発表場所
      北海道工業大学(北海道札幌市)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書 2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Feasibility study of a table-based SET-pulse estimation in logic cells from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007

    • 著者名/発表者名
      D.Kobayashi, et. al.
    • 学会等名
      2007 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC)
    • 発表場所
      Honolulu,HI,USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Fast and physically-accurate estimation of single event transient pulses from radiation-induced transient currents measured in a single MOSFET:a simulation-based case study in bulk CMOS logic circuits2007

    • 著者名/発表者名
      D.Kobayashi, et. al.
    • 学会等名
      2007 IEEE Workshop on Silicon Errors in Logic-System Effects(SELSE3)
    • 発表場所
      Austin,TX,USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] シングルイベント過渡パルスの高速・高精度な波形推定:1 原理2007

    • 著者名/発表者名
      小林大輔, 他
    • 学会等名
      2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(神奈川県相模原市)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Scan-architecture-based evaluation technique of SET and SEU soft-error rates at each flip-flop in logic VLSI systems2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Yanagawa, et. al.
    • 学会等名
      2007 European Conference on Radiation Effect on Components and Systems(RADECS)
    • 発表場所
      Deauville, France(A-4)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Feasibility study of a table-based SET-pulse estimation in logic cells from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007

    • 著者名/発表者名
      D. Kobayashi, et. al.
    • 学会等名
      2007 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC)
    • 発表場所
      Honolulu, HI(paper H-6)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Fast and physically-accurate estimation of single event transient pulses from radiation-induced transient currents measured in a single MOSFET: a simulation-based case study in bulk CMOS logic circuits2007

    • 著者名/発表者名
      D. Kobayashi, et. al.
    • 学会等名
      2007 IEEE Workshop on Silicon Errors in Logic-Systems Effects(SELSE3)
    • 発表場所
      Austin, TX
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Scan-architecture-based evaluation technique of SET and SEU soft-errorrates at each flip-flop in logic VLSI svstems2007

    • 著者名/発表者名
      Y.Yanagawa, et. al.
    • 学会等名
      2007 European Conference on Radiation Effects onComponents and Systems(RADECS)
    • 発表場所
      Deauville, France
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Feasibility study of a table-based SET-pulse estimation in logic cells fromheavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2007

    • 著者名/発表者名
      D.Kobayashi, et. al.
    • 学会等名
      2007 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC)
    • 発表場所
      Honolulu, HI, USA
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] Fast and physically-accurate estimation of single event transient pulses from radiation-hlduced transient currents measured in a single MOSFET:a simulation-based case study in bulk CMOS logic circuits2007

    • 著者名/発表者名
      D.Kobayashi, et. al.
    • 学会等名
      2007 IEEE Workshop on Silicon Errors in Logic-System Effects(SELSE3)
    • 発表場所
      Austin, TX, USA
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [学会発表] 単体トランジスタで観測された重イオン誘起過渡電流に基づくシングルイベント過渡電圧パルスの波形推定2006

    • 著者名/発表者名
      小林大輔, 他
    • 学会等名
      第7回半導体の放射線照射効果研究会
    • 発表場所
      日本大学(千葉県船橋市)
    • 年月日
      2006-12-09
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 0.2-μm FD-SOI論理セルにおけるシングルイベント・トランジェントのパルス幅測定2006

    • 著者名/発表者名
      柳川善光, 他
    • 学会等名
      第7回半導体の放射線照射効果研究会
    • 発表場所
      日本大学(千葉県船橋市)
    • 年月日
      2006-12-09
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 宇宙用SOI半導体部品の処理能力向上のための放射線誘起過渡現象の研究2006

    • 著者名/発表者名
      小林大輔, 他
    • 学会等名
      第7回宇宙科学シンポジウム
    • 発表場所
      宇宙科学研究本部(神奈川県相模原市)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Time-domain component analysis of heavy-ion-induced transient currents in fully-depleted SOI MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      D.Kobayashi, et. al.
    • 学会等名
      7th Int.Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications(RASEDA)
    • 発表場所
      Takasaki,Japan
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Estimation of single event transient voltage pulses in VLSI circuits from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2006

    • 著者名/発表者名
      D.Kobayashi, et. al.
    • 学会等名
      2006 European Workshop on Radiation Effects on Components and Systems(RADECS)
    • 発表場所
      Athens,Greece
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 完全空乏型SOI MOSFETにおけるシングルイベント過渡電流の時間領域成分解析2006

    • 著者名/発表者名
      小林大輔, 他
    • 学会等名
      2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      立命館大学(滋賀県草津市)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] 0.2-μm FD-SOI論理セルにおけるシングルイベントトランジェントのパルス幅測定2006

    • 著者名/発表者名
      柳川善光, 他
    • 学会等名
      2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      立命館大学(滋賀県草津市)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Time-domain component analysis of heavy-ion-induced transient currents in fully-depleted SOI MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      D.Kobayashi, et. al.
    • 学会等名
      2006 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC)
    • 発表場所
      Ponte Vedra Beach,FL,USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Direct measurement of SET pulse-widths in 0.2-μm SOI logic cells irradiated by heavy ions2006

    • 著者名/発表者名
      Y.Yanagawa, et. al.
    • 学会等名
      2006 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC)
    • 発表場所
      Ponte Vedra Beach,FL,USA
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Time-domain component-analysis of heavy-ion-induced transient-currents in fully-depleted SOI MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      D. Kobayashi, et. al.
    • 学会等名
      7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application(RASEDA)
    • 発表場所
      Takasaki, Japan(pp.99-102)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Estimation of single event transient voltage pulses in VLSI circuits from heavy-ion-induced transient currents measured in a single MOSFET2006

    • 著者名/発表者名
      D. Kobayashi, et. al.
    • 学会等名
      2006 European Workshop on Radiation Effect on Components and Systems(RADECS) , late news paper LN-6
    • 発表場所
      Athens, Greece(late news paper LN-6)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Time-domain component-analysis of heavy-ion-induced transient-currents in FD-SOI MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      D. Kobayashi, et. al.
    • 学会等名
      2006 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC) , FL, late news paper PC-14L
    • 発表場所
      Ponte Vedra Beach(late news paper PC-14L)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要
  • [学会発表] Direct measurement of SET pulse-widths in 0.2-μmSOI logic cells irradiated by heavy ions2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Yanagawa, et. al.
    • 学会等名
      2006 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference(NSREC) , FL, late news paper PE-12L
    • 発表場所
      Ponte Vedra Beach(late news paper PE-12L)
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      2007 研究成果報告書概要

URL: 

公開日: 2006-04-01   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi