| 研究課題/領域番号 |
18560679
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
構造・機能材料
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| 研究機関 | 東洋大学 |
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研究代表者 |
花尻 達郎 東洋大学, 工学部, 教授 (30266994)
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| 研究分担者 |
鳥谷部 達 東洋大学, 工学部, 教授 (20266993)
柏木 邦宏 東洋大学, 工学部, 教授 (30058094)
森川 滝太郎 東洋大学, 工学部, 教授 (80191013)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
2,320千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 420千円)
2008年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2007年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2006年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
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| キーワード | 新機能材料 / MOSFET / SOI / SOQ / SOI基板 / SOQ基板 / SIMOX基板 / BOX(Buried Oxide) / キャリア捕獲中心 / SOI MOSFET / SOQ MOSFET / サブスレッドショルド係数 |
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| 研究概要 |
SOQ 基板(silicon on quartz)の有用性ついて、基板の基礎物性評価から、デバイスの試作に至るまで様々な視点からの検証を試みた。SOQ MOSFET試作の準備段階として、まずSOQ 基板の代替としてSOI基板を用いて、基板におけるナノオーダー級超薄膜の基礎物性評価方法を確立した。SOI/BOX(Buried Oxide、埋込み酸化膜)界面近傍において高密度のキャリア捕獲中心の定量的に評価することに初めて成功した。さらにSOQ基板の応用分野としてエレクトロニクスに留まらずμ-TAS(micro- total-analysis system)のプラットフォームとしての有用性について提案した。
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