Geエレクトロニクスに向けた低抵抗・超平坦金属/Geコンタクト形成技術

• 研究課題/領域番号: 18686005
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 中塚 理 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 講師 (20334998)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2008
• 研究課題ステータス: 完了 (2008年度)
• 配分額: 30,420千円 (直接経費: 23,400千円、間接経費: 7,020千円); 2008年度: 6,110千円 (直接経費: 4,700千円、間接経費: 1,410千円); 2007年度: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円); 2006年度: 17,940千円 (直接経費: 13,800千円、間接経費: 4,140千円)
• キーワード: ゲルマニウム / コンタクト / 界面 / ジャーマナイド / ULSI / プロセス技術 / 結晶工学 / ニッケル / 電子・電気材料

研究概要

次世代超々大規模集積回路の高性能化、低消費電力化に期待される高移動度ゲルマニウム(Ge)チャネルデバイス実現のために、金属電極/Ge界面の低抵抗化、熱的安定性向上を目指して金属/Ge界面の結晶構造および電気伝導特性制御に関する研究を行った。ニッケルジャーマナイド(NiGe)への白金(Pt)添加を施し形成した(Ni1-xPtx)Ge層によって、従来のNiGeよりも熱的安定性に優れたジャーマナイド/Geコンタクト形成に成功した。また、金属/Ge界面制御を施した金属/GeコンタクトのSchottky障壁高さ評価から、フェルミレベルピニングを解消し、低Schottky障壁高さを実現するための知見を得た。

研究成果

• [雑誌論文] Ge(001)基板上NiGe薄膜のPt添加による熱的安定性向上 (2007)
  • 著者名/発表者名: 鈴木敦之, 中塚理, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明
  • 雑誌名: 第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 第2分冊 ページ: 902-902
• [雑誌論文] Impact of Pt Incorporation on Thermal Stability of NiGe Layers on Ge (001) Substrates (2007)
  • 著者名/発表者名: O.Nakatsuka, A.Suzuki, A.Sakai, M.Ogawa, S.Zaima
  • 雑誌名: The 7th International Workshop on Junction Technology (掲載決定済)
• [学会発表] Influence of Interfacial Structure on Electrical Properties of Metal/Ge Schottky Contacts (2009)
  • 著者名/発表者名: O. Nakatsuka, S. Akimoto, T. Nishimura, and S. Zaima
  • 学会等名: The 9th International Workshop on Junction Technology 2009
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Influence of Interfacial Structure on Electrical Properties of Metal/Ge Schottky Contacts (2009)
  • 著者名/発表者名: O. Nakatsuka, S. Akimoto, T. Nishimura, and S. Zaima
  • 学会等名: The 9 th International Workshop on Junction Technology 2009
  • 発表場所: Kyoto, Japan(採択決定)
• [学会発表] 金属シリサイド・ジャーマナイド/半導体コンタクトの界面構造および電子物性制御(招待講演) (2008)
  • 著者名/発表者名: 中塚理, 酒井朗, 財満鎭明
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会, 4p-ZB-8
• [学会発表] 金属シリサイド・ジャーマナイド/半導体コンタクトの界面構造および電子物性制御(招待講演) (2008)
  • 著者名/発表者名: 中塚理, 酒井朗, 財満鎭明
  • 学会等名: 第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 中部大学、名古屋
• [学会発表] Impact of Pt Incorporation on Thermal Stability of NiGe Layers on Ge(001) Substrates (2007)
  • 著者名/発表者名: O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
  • 学会等名: 7th International Workshop on Junction Technology 2007, pp. 87-88
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Ge(001)基板上NiGe薄膜のPt添加による熱的安定性向上 (2007)
  • 著者名/発表者名: 鈴木敦之, 中塚理, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明
  • 学会等名: 第54回応用物理学関係連合講演会, 29a-SM-5
  • 発表場所: 青山学院大学
• [学会発表] Impact of Pt Incorporation on Thermal Stability of NiGe Layers on Ge (001) Substrates (2007)
  • 著者名/発表者名: O. Nakatsuka, A. Suzuki, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
  • 学会等名: 7th International Workshop on Junction Technology 2007
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [産業財産権] ジャーマナイド薄膜、ジャーマナイド薄膜の作成方法、ジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体 (2007)
  • 発明者名: 中塚理、酒井朗、鈴木敦之、小川正毅、財満鎭明
  • 権利者名: 国立大学法人名古屋大学
  • 産業財産権番号: 2007-247138
  • 出願年月日: 2007-09-25
• [産業財産権] ジャーマナイド薄膜、ジャーマナイド薄膜の作成方法、ジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体 (2007)
  • 発明者名: 中塚理、酒井朗、鈴木敦之、小川正毅、財満鎭明
  • 権利者名: 国立大学法人名古屋大学
  • 産業財産権番号: 2007-247138
  • 取得年月日: 2007-09-25
  • 外国