ワイドバンドギャップ半導体デバイス製作のための高能率化学的加工法

• 研究課題/領域番号: 18686014
• 研究種目: 若手研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 生産工学・加工学
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 佐野 泰久 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (40252598)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2008
• 研究課題ステータス: 完了 (2008年度)
• 配分額: 26,390千円 (直接経費: 20,300千円、間接経費: 6,090千円); 2008年度: 6,110千円 (直接経費: 4,700千円、間接経費: 1,410千円); 2007年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円); 2006年度: 10,790千円 (直接経費: 8,300千円、間接経費: 2,490千円)
• キーワード: 炭化ケイ素 / PCVM / 大気圧プラズマ / べベル加工 / 薄化 / SiC / プラズマCVM / エッチング / ワイドギャップ半導体

研究概要

ワイドバンドギャップ半導体である炭化ケイ素(SiC)は、次世代省エネルギーパワーデバイス用基板として注目されているが、その硬度と熱的・化学的安定性のため、有効な加工方法が模索されている。本研究では、大気圧プラズマを用いた化学的気化加工法(PCVM)をSiCの加工に適用し、加工特性の温度依存性を明らかにするとともに、SiCウエハ外周のべベル加工(面取り加工)への応用および裏面薄化への応用について検討し、その可能性を明らかにした。

研究成果

• [雑誌論文] Temperature Dependence of Plasma Chemical Vaporization Machining of Silicon and Silicon Carbide (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Sano, M. Watanabe, T. Kato, K. Yamamura, H. Mimura and K. Yamauchi
  • 雑誌名: Materials Science Forum Vols. 600-603 ページ: 847-850
  • 査読あり
• [雑誌論文] Beveling of Silicon Carbide Wafer by Plasma Chemical Vaporization Machining (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Kato, Y. Sano, H. Hara, H. Mimura, K. Yamamura and K. Yamauchi
  • 雑誌名: Materials Science Forum Vols. 600-603 ページ: 843-846
  • 査読あり
• [雑誌論文] Temperature Dependence of Plasma Chemical Vaporization Machining of Silicon and Silicon Carbide (2009)
  • 著者名/発表者名: Yasuhisa Sano
  • 雑誌名: Materials Science Forum 600-603 ページ: 847-850
  • 査読あり
• [雑誌論文] Polishing Characteristics of 4H-SiC Si-Face and C-Face by Plasma Chemical Vaporization Machining (2007)
  • 著者名/発表者名: Y. Sano, M. Watanabe, K. Yamamura, K. Yamauchi, T. Ishida, K. Arima, A. Kubota, and Y. Mori
  • 雑誌名: Materials Science Forum Vols. 556-557 ページ: 757-760
  • 査読あり
• [雑誌論文] Polishing characteristics of silicon carbide by plasma chemical vaporization machining (2006)
  • 著者名/発表者名: Y. Sano, M. Watanabe, K. Yamamura, K. Yamauchi, T. Ishida, K. Arima, A. Kubota and Y. Mori
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics Vol. 45 ページ: 8277-8280
  • NAID: 10018339543
• [学会発表] Plasma Chemical VaporizationMachiningを用いたSiC基板の薄化 (2008)
  • 著者名/発表者名: 加藤武寛, 佐野泰久, 会田浩平, 堀勉, 山村和也, 三村秀和, 松山智至, 勝山義昭, 山内和人
  • 学会等名: 応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会予稿集
  • 発表場所: 大田区
  • 年月日: 2008-12-08
• [学会発表] PCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)を用いたSiC基板の切断加工の検討 (2008)
  • 著者名/発表者名: 会田浩平, 佐野泰久, 加藤武寛, 山村和也,三村秀和, 松山智至, 山内和人
  • 学会等名: 応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会予稿集
  • 発表場所: 大田区
  • 年月日: 2008-12-08
• [学会発表] SBDのI-V測定によるSiC加工表面の結晶性評価 (2008)
  • 著者名/発表者名: 白沢佑樹, 佐野泰久, 岡本武志, 山内和人
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会予稿集
  • 発表場所: 大田区
  • 年月日: 2008-12-08
• [学会発表] PCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)を用いたSiC基板の切断加工の検討 (2008)
  • 著者名/発表者名: 加藤武寛, 佐野泰久, 会田浩平, 山村和也,三村秀和, 松山智至, 山内和人
  • 学会等名: 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 春日井市
  • 年月日: 2008-09-02
• [学会発表] Thinning of SiC wafers by Plasma Chemical Vaporization Machining (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Kato, Y. Sano, T. Hori, K. Yamamura, H. Mimura, Y. Katsuyama, and K. Yamauchi
  • 学会等名: The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2008-05-24
• [学会発表] Thinning of SiC wafers by Plasma Chemical Vaporization Machining (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Kato
  • 学会等名: The 4^<th> Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2008-05-24
• [学会発表] Crystal machining using atmospheric pressure plasma (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Sano, K. Yamamura, K. Yamauchi and Y. Mori
  • 学会等名: 4th International Workshop on Crystal Growth Technology
  • 発表場所: Beatenberg, Switzerland
  • 年月日: 2008-05-20
• [学会発表] PCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)を用いたSiC基板の薄化 (2008)
  • 著者名/発表者名: 加藤武寛, 佐野泰久, 堀勉, 原 英之, 山村和也, 三村秀和, 勝山義昭, 山内和人
  • 学会等名: 2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会予稿集
  • 発表場所: 船橋市
  • 年月日: 2008-03-28
• [学会発表] PCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)を用いたSiCウエハの薄化 (2007)
  • 著者名/発表者名: 加藤武寛, 佐野泰久, 堀勉, 原 英之, 山村和也, 三村秀和, 勝山義昭, 山内和人
  • 学会等名: 応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第16回講演会予稿集
  • 発表場所: 名古屋市
  • 年月日: 2007-11-29
• [学会発表] PCVM (Plasma Chemical Vaporization Machining)を用いたSiCウエハの薄化 (2007)
  • 著者名/発表者名: 加藤武寛
  • 学会等名: SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第16回講演会
  • 発表場所: 名古屋
  • 年月日: 2007-11-29
• [学会発表] Beveling of Silicon Carbide Wafer by Plasma Chemical Vaporization Machining (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Kato, Y. Sano, H. Hara, H. Mimura, K. Yamamura and K. Yamauchi
  • 学会等名: International Conference Silicon Carbide and Related Materials 2007 (ICSCRM2007)
  • 発表場所: 大津市
  • 年月日: 2007-10-17
• [学会発表] Temperature Dependence of Plasma Chemical Vaporization Machining of Silicon and Silicon Carbide (2007)
  • 著者名/発表者名: Y. Sano, M. Watanabe, T. Kato, K. Yamamura, H. Mimura, and K. Yamauchi
  • 学会等名: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007
  • 発表場所: 大津市
  • 年月日: 2007-10-15
• [学会発表] Temperature Dependence of Plasma Chemical Vaporization Machining of Silicon and Carbide (2007)
  • 著者名/発表者名: 佐野泰久
  • 学会等名: The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007 (ICSCRM2007)
  • 発表場所: 大津
  • 年月日: 2007-10-15
• [学会発表] PCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)を用いたSiCウエハのベベル加工 (2007)
  • 著者名/発表者名: 加藤武寛, 佐野泰久, 原 英之, 三村秀和, 山村和也, 山内和人
  • 学会等名: 第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集
  • 発表場所: 札幌市
  • 年月日: 2007-09-04
• [学会発表] PCVM ( Plasma Chemical Vaporization Machining)を用いたSiCウエハーのベベル加工の検討 (2007)
  • 著者名/発表者名: 加藤武寛, 佐野泰久, 三村秀和, 原英之, 山内和人
  • 学会等名: 精密工学会2007年度関西地方定期学術講演会講演論文集
  • 発表場所: 大東市
  • 年月日: 2007-08-09
• [学会発表] Polishing characteristics of 4H-SiC Si-face and C-face by plasma chemical vaporization machining (2006)
  • 著者名/発表者名: Y. Sano, M. Watanabe, K. Yamamura, K. Yamauchi, T. Ishida, K. Arima, A. Kubota and Y. Mori
  • 学会等名: The 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2006)
  • 発表場所: Newcastle upon Tyne, UK
  • 年月日: 2006-09-06
• [図書] Wiley-VCH, Crystal Growth Technology (Chapter 19 : Plasma Chemical Vaporization Machining and Elastic Emission Machining), (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Sano, K. Yamamura, H. Mimura, K. Yamauchi, and Y. Mori
• [産業財産権] 半導体ウエハ外周部の加工方法及びその装置 (2007)
  • 発明者名: 佐野泰久, 山村和也, 原英之, 加藤武寛
  • 権利者名: 大阪大学
  • 公開番号: 2009-043969
  • 出願年月日: 2007