| 研究課題/領域番号 |
18686026
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
原 真二郎 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (50374616)
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| 研究協力者 |
クラー ピーター ギーセン大学(ドイツ), 物理学部, 教授
クルーク・フォン・ニーダ ハンス-アルプレヒ アウグスブルグ大学(ドイツ), 物理学部, 博士研究員
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
26,910千円 (直接経費: 20,700千円、間接経費: 6,210千円)
2008年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2007年度: 10,010千円 (直接経費: 7,700千円、間接経費: 2,310千円)
2006年度: 11,960千円 (直接経費: 9,200千円、間接経費: 2,760千円)
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| キーワード | 有機金属気相成長 / 選択形成 / 強磁性体 / III-V族化合物半導体 / ヘテロ接合 / ナノクラスタ / ナノワイヤ / スピントロニクス / 位置制御選択形成 / 自己形成 / スピンエレクトロニクス / インジウム燐 / ガリウムインジウム砒素 / マンガン砒素 |
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| 研究概要 |
位置およびサイズを精密に制御して、強磁性体ナノ構造を半導体ウェハ上に作製する「選択形成技術」を初めて開発した。強磁性体ナノ構造の結晶成長条件(温度・原料ガス供給比等)依存性を明らかにして、ナノ構造の成長方向制御を実現すると共に、磁気物性評価と合わせてナノ構造の磁化方向制御技術を確立した。また原子レベルで急峻・平坦な強磁性体/半導体界面・表面を持つナノ構造を作製し、コアとなる化合物半導体ナノワイヤの組成制御を実現した。
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