| 研究課題/領域番号 |
18686031
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
宮本 智之 東京工業大学, 精密工学研究所, 准教授 (70282861)
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
30,030千円 (直接経費: 23,100千円、間接経費: 6,930千円)
2008年度: 8,840千円 (直接経費: 6,800千円、間接経費: 2,040千円)
2007年度: 9,750千円 (直接経費: 7,500千円、間接経費: 2,250千円)
2006年度: 11,440千円 (直接経費: 8,800千円、間接経費: 2,640千円)
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| キーワード | 電子デバイス・機器 / 高性能レーザー / MBE / エピタキシャル / 量子井戸 / 半導体物性 / 半導体レーザー / 光情報伝送 / キャリア分布 |
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| 研究概要 |
光通信用半導体レーザの性能向上を制限するキャリア注入課題の克服のため, キャリアのエネルギー状態に基づく遷移を制御するエネルギーフィルタリングのためのトンネル注入量子構造とそのレーザ応用を検討した.理論解析から高速動作の設計指針と動作条件を明らかにし, 実験的に製作条件検討に基づきレーザ発振を確認することで, 本手法の課題を明確化した. また, 新規発振特性を見出し, その高速動作応用を提案した. 本研究により, 新原理に基づく高性能レーザの基礎を築いた.
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